第03章场效应管及放大电路.pptVIP

第三章?? 场效应管及放大电路 第三章?? 场效应管及放大电路 基本内容 结型场效应管 金属—氧化物—半导体场效应管 场效应管的特点 场效应管放大电路 基本要求 1.了解各场效应管的工作特点 。 2.场效应管放大电路分析方法。 3.1?? 结型场效应管 根据结构的不同，场效应管可分为两大类：结型场效应管和金属—氧化物—半导体场效应管。 3.1.1?????????结型场效应管结构 结型场效应管（简称JFET）有N沟道和P沟道两种结构形式。 N沟道JFET是在一块N型半导体材料的两侧进行高浓度扩散形成两个P区（记作P+）构成两个PN结，将这两个P区连在一起引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d），中间的N区为电流流通的路径，称为导电沟道。 3.1?? 结型场效应管 如在P型半导体材料两侧各制作一个高浓度的N区，便可形成一个P沟道JFET 。 它们符号如图，图中箭头所示方向为PN结的方向。 3.1.2????????? 工作原理 下面以N沟道结型场效应管为例讨论其工作原理。 当N沟道结型场效应管处在放大状态时，在栅、源极之间加反向电压UGS，栅极电流IG≈0，场效应管呈现高达107Ω以上的输入电阻。 而在漏、源极之间加正向电压UDS，使N沟道中的多数载流子(电子)在电场作用下由源极向漏极运动，形成电流ID。ID的大小受UGS控制。 因此，讨论结型场效应管的工作原理就是讨论UGS对ID的控制作用和UDS对ID的影响。 1. UGS对导电沟道ID的控制作用 改变电压UGS，就可改变沟道电阻值的大小。若加正向电压UDS，则改变电压UGS就可改变电流ID。 当|UGS|↑，沟道电阻↑ ，ID↓；反之，ID ↑ 。 利用电压UGS产生的电场来控制导电沟道电流ID ，这就是结型场效应管的工作原理。 1. UGS对导电沟道ID的控制作用 2. UDS对导电沟道ID的影响 当uGS负向电压的数值小于Up某值时， iD随uDS变化。 设uDS为零时，iD显然为零。 当uDS正向电压逐渐增加时，沟道电场强度加大，漏极电流iD随uDS升高几乎成正比地增大。但是，由于漏极电流iD沿沟道产生的电压使得沟道上各点与栅极间的电压不再是相等的，漏极处的电压最大，随着电位的降低在源极处的电压最小。所以增加uDS，又产生了阻碍漏极提高的因素。 当uDS增大到使|uGD|等于|Up|时，在漏极附近两侧的耗尽层开始合拢于1点A，这种情况称为予夹断，iD达到了饱和漏极电流IDSS，IDSS下标中的第二个S表示栅源极间短路的意思，此时有uGD=uGS-uDS，若uGS=0，uGD=-uDS=Up。 当uDS再继续增加时，增大电流iD的作用与阻碍电流iD的作用相平衡，iD=IDSS基本上不随uDS增加而上升。 uDS增加到U（BR）DS时，夹断区的耗尽层击穿, iD将突然增大 。 2. UDS对导电沟道ID的影响 2. UDS对导电沟道ID的影响 当uGS=0时， iD随uDS变化的曲线如图(a)所示 。 改变电压uGS可得一族曲线， iD=f(uDS)|uGS=常数 称为输出特性特性曲线，如图(b)所示。 由于每个管子的Up为一定值，因此，预夹断点随uGS改变而变化，它在输出特性上的轨迹如图（b）中左边虚线所示。 结型场效应管的结论： （1）栅、源之间的PN结是反向偏置的，因此，其iG≈0，输入电阻很高。 （2）iD受uGS控制，是电压控制电流器件。 （3）预夹断前，iD与uDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 P沟道结型场效应管的工作原理与N沟道相对应。用于放大时，使用电源电压极性与N沟道结型场效应管的正好相反。 3.1.3????????? 特性曲线 结型场效应管的特性曲线包括输出特性曲线和转移特性曲线两种。 1. 输出特性曲线的四个区 ⑴ 可变电阻区Ⅰ（非饱和区）：该区的特点是当uDS增加时，iD随uDS线性增加， uGS不同时，iD增加的斜率不同。 ⑵ 恒流区Ⅱ（饱和区）：该区的特点是iD的大小受uGS的控制，而与uDS的大小基本无关。场效应管在作放大器使用时一般工作在此区域，所以该区也称为线性放大区。。 ⑶击穿区Ⅲ：该区的特点是反向偏置的PN结发生雪崩击穿，iD将突然聚增，管子不能正常工作，甚至很快烧毁。所以，场效应不允许工作在这个区域。 (4)夹断区Ⅳ（截止区）：当|uGS|＞|Up|时，沟道被夹断，iD≈0，此区域称为夹断区或截止区，它对应于靠近横轴的部分。此区的特点是场效应管的漏、源极之间可看作开关断开。 2. 转移特性曲线 转移特性曲线为iD=f(uGS) ｜u DS=常数，它反映栅极电压对漏极电流的