第1章半导体二极管.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * 激光二极管 （a）物理结构 （b）符号 第一章小结 半导体在本征激发后具有导电性能，载流子浓度与温度有关； P型半导体中多子为空穴，少子为电子； N型半导体中多子为电子，少子为空穴； PN结具有单相导电性； 二极管在电路中工作状态的判断方法； 稳压二极管的工作原理和稳压电路. 第一章习题常见类型 半导体基础知识正确的判断； 电子电路中二极管、稳压管工作状态的判断； 已知电子电路的输入电压求输出电压。 例题1 判断、填空 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（yes ） 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ no） PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ yes） 二极管的电流方程是 。 稳压管的稳压区是其工作在 。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 齐纳击穿： 形成电子空穴对 直接将PN结中的束缚电荷从共价键中拉出来 PN结电场很大 很大反向电流 齐纳击穿需要很高的场强：2×105 V/cm 只有杂质浓度高，PN结窄时才能达到此条件——齐纳二极管（稳压管） 电击穿:当反向电流与电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率时,称为电击穿，是可逆的。即反压降低时,管子可恢复原来的状态。 热击穿:若反向电流与电压的乘积超出PN结的耗散功率,则管子会因为过热而烧毁,形成热击穿——不可逆。 热击穿和电击穿 雪崩击穿、齐纳击穿——可逆 电容：可存储、释放电荷（电场能量）的电器元件 介质 金属板 PN结具有电容效应，耗尽层电导率低，相当于介质；P、N型区相对来说电导率较高，相当于金属板 1.2.5 PN结的电容效应 1. 扩散电容CD 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。当外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当电容充放电过程。 2 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。 考虑PN结的电容效应后，高频或开关状态时，等效为： 1.3 二极管 1.3.1 二极管的结构 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的主要参数 1.3.1 二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于低频、大电流整流电路,不宜用于高频。 (3)平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 无论是点接触型、面接触型二极管，电路符号皆为： 1.3.2 二极管的V-I 特性 二极管的V-I 特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 硅管的Vth=0.5V左右 锗管的Vth=0.1V左右 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称死区电压或开启电压。 1.正向特性-分为两段： 当V ＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 返回 Si管与Ge管V-I特性的差异 硅管正向导通压降约为0.7V 锗管正向导通压降约为0.2V 反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 2.反向特性 返回 反向饱和电流： 硅管为纳安（10－9）级 锗管为微安（10－6）级 管子反向击穿时的电压值。 管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR (3) 反向电流IR 二极管未击穿时的反向电流。 IR越小，管子的单向导电性越好。 特性：IR与温度有关，T 1.3.3 二极管的主要参数 IR (4)最大正向电压VF: (5)极间电容Cd: 硅管VF＝0.6～0.8V，锗管为0.1～0.3V VF与温度有关。T升高, VF减小。 代表二极管中PN结的电容效应，Cd=CD+CB (6)最高工作频率fM: 二极管工作的上限频率，超过此频率，由于二极管极间电容的存在，二极管的单向导电性将不能体现。 指管子流过额定电流IFM时二极管两端的管压降。