第五章场效应管放大电路课件.ppt

第五章 场效应管放大电路;主要内容及基本要求：;场效应管;2.工作原理;①栅源电压VGS对iD的控制作用;②漏源电压VDS对iD的影响;JFET工作原理（动画2-9);(3)伏安特性曲线;(3)伏安特性曲线;可变电阻区;夹断区;总结： 场效应管在不同的vGS 、vDS电压下处在 不同的工作区中： 1、可变电阻区： vDS vGS-VP 2、恒 流 区： vDS vGS-VP 、vGS VP 3、截 止 区： vGS VP 4、击 穿 区： vDS VBR(DS) ;②转移特性曲线;;结型场效应管的特性小结;金属-氧化物-半导体场效应管;N沟道增强型场效应管;N沟道增强型场效应管的工作原理;（1）.栅源电压VGS的控制作用;栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用;2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响; 当VDS为0或较小时，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。;增强型MOSFET的工作原理;MOSFET的特性曲线;2.转移特性曲线— VGS对ID的控制特性;增强型MOS管特性小结;耗尽型MOSFET;耗尽型MOSFET的特性曲线;场效应三极管的参数和型号;4. 输入电阻RGS;7. 输出电阻rd从输出特性曲线上可以了解这个概念。;(2) 场效应三极管的型号;几种常用场效应三极管的主要参数;双极型三极管与场效应三极管的比较;绝缘栅 增强 型;结型场效应管放大电路;（2）分压式偏压电路及静态分析;（3）动态分析的小信号分析法;（3）动态分析的小信号分析法;交流分析;N沟道耗尽型结型场效应管放大器的自偏压电路如图1(a)所示。其中场效应管的栅极通过电阻Rg接地，源极通过电阻R接地。 ;自偏压电路工作原理; 图1(b)所示电路是自偏压电路的特例，其中VGS=0。显然这种偏置电路只适用于耗尽型MOS管，因为在栅源电压大于零、等于零和小于零的一定范围内，耗尽型MOS管均能正常工作。 增强型MOS管只有在栅-源电压达到其开启电压VT时，才有漏极电流ID产生，因此图1所示的自偏压电路非增强型MOS管。 ;2．分压器式自偏压电路 分压器式自偏压电路是在自偏压电路的基础上加接分压电路后构成的，如图2所示。 ;静态时，由于栅极电流为零，Rg3上没有电压降，所以栅极电位由Rg2与Rg1对电源VDD分压得到，即 源极电位 VS=IDR， 因此栅源直流偏置电压 VGS=VG-VS 适用范围：这种偏置方式同样适用于结型场效应管或耗尽型MOS管组成的放大电路，还适用于增强型管电路。 ;二、静态工作点的确定 1.估算法求静态工作点 ;工作在饱和区时场效应管漏极电流: 结型场效应管和耗尽型MOS管的漏极电流 ;求静态工作点时，对于图1(a)所示的自偏压电路，可求解方程组 ;对于图2所示电路，可求解方程组 ;例1 下图电路中，设场效应管为MOSFET，已知Rg1=300K?，Rg2=150K ?，VDD=18V，Rd=3K ?，R=3K ?，Rg3=1M ?，ID0=2.5mA，VT=-2.5V，试用估算法求解静态工作点。;解： （1）画出电路的直流通路;（2）写出输入、输出回路方程;（3）联立求解得：;交流分析;作业： 5.2.9 5.3.7 5.3.8 5.3.9