第4章双极型器件基本原理(1).pptVIP

半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 晶体管的大信号下的等效电路 结电容，扩散电容，发射（集电）二极管，电流源，基区扩展电阻 半导体器件原理 南京大学 3. 电流增益 (1) 发射效率 ? ? ? ? ? ? ? 半导体器件原理 南京大学 (2) 基区输运系数 单位面积基区的少子总数： ? ? ? ? 半导体器件原理 南京大学 (3) 电流放大系数 减小发射区与基区的方块电阻之比，基区宽度WB，提高?及少子寿命及迁移率 半导体器件原理 南京大学 1。基区输运过程 输入信号及基区少子的渡越行为发生变化，输出的集电极电流随之发生变化。 交变信号频率越高，单位时间用于再分布的电荷越多，消耗的电流也愈大。 4.4 晶体管的频率特性 ?*的求解 注入基区的少子的基区平均渡越时间?b ? 复合损失：基区中的少子在基区渡越过程中的复合损失： ?b/ ? ? 相位滞后：流出基区的少子比进入基区的少子延迟了时间?b，集电极电流出现相位滞后??b ? 渡越时间的分散：基区少子依靠扩散运动度过基区 半导体器件原理 南京大学 * * 半导体器件原理 南京大学 电压控制器件(MOSFET) 利用加在栅极与源极之间的电压来控制输出电流。 饱和区工作电流IDSS会随VGS而改变。 电流控制器件(BJT) 利用基极电流控制集电极电流。 晶体管的分类： 双极型晶体管（少子与多子参与导电） 单极型晶体管（电流由多数载流子输运） Chapter 4 双极型器件 半导体器件原理 南京大学 4.1 概述 1. 基本结构：发射极（E），基极（B）和集电极（C） 均匀基区杂质分布及非均匀基区杂质分布 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 2. 放大作用 发射结（EB结）处于正向，大量电子从发射区注入到基区，绝大部分电子可通过基区到达集电结边界，并在集电结电压的作用下扫至集电区，形成集电极电流。 （1）基区宽度远小于电子扩散长度 （2）发射结正偏，结电阻小 （3）集电结反偏，结电阻大 半导体器件原理 南京大学 （1） 发射区中部分电子流与空穴流复合 （2） 注入到基区的电子流有一部分与基区中的空穴流复合 （3） 注入到基区的大部分电子由于扩散及漂移运动到集电结边界，在反向强电场作用下被扫入集电区 （4） 集电结势垒区及其扩散长度内产生的电子空穴对，在电场作用下分别流向集电区和基区 3. 载流子的传输及电流放大系数 半导体器件原理 南京大学 发射效率 基区输运系数 集电区倍增因子 电流放大系数 半导体器件原理 南京大学 4. 输入及输出特性 三种连接法 共射极电流放大系数： 输出特性的三个区域： I 线性区（发射区正偏，集电区反偏） II 饱和区 （发射区及集电区均正偏） III 截止区 (发射区及集电区均反偏） 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 4.2 均匀基区晶体管的直流特性和电流增益 1. 直流特性的理论分析 未加偏压：多数载流子及少数载流子均匀分布 发射结正偏：在基区靠近发射结边界出引起电子积累；在发射区靠近发射结边界处有空穴积累 集电结反偏：势垒区两侧的少数载流子浓度几乎为零 半导体器件原理 南京大学 基区中非平衡少数载流子的分布 半导体器件原理 南京大学 基区宽度Wb比少子扩散长度小得多，线性分布 发射结正偏 集电结反偏 半导体器件原理 南京大学 发射区中非平衡空穴的分布（线性分布近似） 集电区中非平衡空穴的分布（线性分布近似） 半导体器件原理 南京大学 不考虑电场的存在，得到基区中电子的扩散电流密度： 发射区的空穴电流密度 集电区的空穴电流密度 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 考虑电子与空穴的复合作用，则以上三种电流密度不再是常数，会随位置而变化。 即存在电子电流与空穴电流之间的转变。 发射极或集电极电流密度等于发射区某一位置的电子电流密度和空穴电流密度之和，与坐标X无关。 半导体器件原理 南京大学 2. 均匀基区晶体管的短路电流放大系数 (1) 发射效率 （集电结短路，基区宽度比电子的扩散长度小得多） 提高Ne/Nb来提高?。 半导体器件原理 南京大学 ? ? ? 如考虑发射结空间电荷区的复合作用 几点假设： 1. 理想突变结，均匀的杂质分布 2. 一维结构，发射结及集电结平行且结面积相等 3. 外电场降落在势垒区，势垒区以外区间无电场 4. 发射区和集电区的长度远大于少数载流子的扩散长度 5. 势垒区的复合作用可忽略 6. 小注入效应（注入基区的少数载流子比基区的多数载流子少得多) 半导体器件原理 南京