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静电场中的电介质 偶极子转向极化 离子晶体介质 离子晶体介质 可见,在这类离子晶体介质中,除存在电子位移极化机制外,还存在别种极化机制,正负离子在电场作用下,正离子将偏离平衡位置沿顺电方向位移,负离子沿反电场方向位移这样就发生极化,这种正负离子发生相对位移而形成的极化,称离子位移极化。 离子晶体介质 离子晶体介质 恢复力常数 恢复力常数 恢复力常数 恢复力常数 三维分布的离子晶体 对于三维分布的离子晶体而言,则必须考虑被考虑离子周围所有其它正负离子对它的作用,例如NaCl晶体选负离子Cl-作为坐标原点,在Cl-最近邻有六个Na+离子,距离r,库仑引力势 次近邻有12个Cl-离子,距 离库仑斥力势 三维分布的离子晶体 再远则是相距 的8个Na+离子 , 库仑引力势能 三维分布的离子晶体 三维分布的离子晶体 三维分布的离子晶体 对于具有立方点阵结构的N aCl离子晶体,除了具有电子位移极化以外,还有离子位移极化,前以证明,具有立方对称点阵结构的离子晶体的有效电场,可以认为是洛仑兹场,于是Clausies Mossotti方程 但这公式与实验结果相偏差,原因在于Lorentz有效场过于笼统和粗造,离子位移极化,只发生在离子键构成的晶体或陶瓷电介质中的晶相中,不会发生气体或液体之中,因为气液不具有 三维分布的离子晶体 离子晶体的介电常数与温度有关,随着温度升高,离子间距离增大,它们之间相互作用减弱,即恢复力常数k变小,离子位移极化率随温度升高而增大,对C—M方程两边对温度求导数 三维分布的离子晶体 第一项:随温度升高,电介质的密度减小,该项为负,使电子位移极化和离子位移极化所贡献的极化强度减弱; 温度升高,离子间距增大,k减弱,离子位移极化增强,第二项为正,使得第一项与第二项在数值上相差不多。 介电常数值与光频折射率相差较大: 感应电偶极矩 为离子位移极化率 把离子看成是荷电刚球同时带有点弹性, 弹性恢复系数 k 平衡时有 由于恢复力是一种弹性力,可用谐振方程求恢复力常数 k m 为折合质量 m1,m2为离子质量 固有频率 令离子振动光学支频率为 f0 光速 吸收波长 M1, M2 正、负离子的摩尔质量 N0为阿佛加德罗常数 上式 两个异性离子之间存在库仑引力势能 电子之间的排斥能 b 和 n为晶格参数 长程作用的库 仑引力势能 近邻作用的斥力能 时 min 在电场作用下,正负离子发生相对位移x后 势能在a处作泰勒级数展开: 略去高次项,只取到二次项 离子位移极化率: 某一离子与周围离子 的库仑引力势能为: 称马德隆常数,其大小视晶体结构而异,对N aCl晶体 正负离子之间的排斥能: 总的势能为: 离子极化率 定义温度系数 较小
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