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第二节 质谱图及其应用 芳烃的这种断裂,产生 m/z 91的基峰,进一步失去乙炔,产生m/z 65的正离子: 当环的?位上的碳被取代时,基峰就变成91+14n。 芳香醚发生?断裂后,产生的 正离子为: 第二节 质谱图及其应用 正离子不稳定,失去CO后,生成m/z 65离子。 硝基化合物首先经历一个重排,然后失去NO,产生与芳香醚同样类型的离子,最后生成m/z 65离子: 第二节 质谱图及其应用 芳香醛、酮和酯类化合物发生?断裂后,产生m/z 105的 然后进一步失去CO,生成m/z 77的苯基阳离子: 第二节 质谱图及其应用 四、质谱定性分析 质谱可以进行纯物质的相对分子质量测定、化学式确定及结构鉴定等。 五、质谱的定量分析 质谱检出的离子强度与离子数目成正比,通过离子强度可进行定量分析。 教学要求 掌握质谱仪的工作原理、质谱仪的主要性能指标及质谱仪的基本结构。 掌握质谱图、质谱表、分子离子峰、碎片离子峰、亚稳离子峰、同位素离子峰的基本概念;了解质谱图、质谱表、分子离子峰、碎片离子峰、亚稳离子峰、同位素离子峰的应用。 * 第一节 质 谱 仪 仅用一个扇形磁场进行质量分析的质谱仪称为单聚焦质谱仪,设计良好的单聚焦质谱仪分辨率可达5000。 若要求分辨率大于5000,则需要双聚焦质谱仪。一般商品化双聚焦质谱仪的分辨率可达150,000;质量测定准确度可达0.03?g ;即对于相对分子质量为600的化合物可测至误差士0.0002u。 第一节 质 谱 仪 (2)飞行时间分析器 这种分析器的离子分离是 非磁方式达到的,因为从离子源飞出的离子动能基本一致,在飞出离子源后进入一长约1m的无场漂移管,在离子加速后的速度为: 此离子达到无场漂移管另一端的时间为: t = L/ ? 故对于具有不同m/z的离子,到达终点的时间差: 第一节 质 谱 仪 由此可见,?t 取决于 m/z 的平方根之差。 因为连续电离和加速将导致检测器的连续输出而无法获得有用信息,所以TOF是以大约10KHz的频率进行电子脉冲轰击法产生正离子,随即用一具有相同频率的脉冲加速电场加速,被加速的粒子按不同的(m/z)1/2的时间经漂移管到达收集极上,并馈入一个水平扫描与电场脉冲频率一致的示波器上,从而得到质谱图。 第一节 质 谱 仪 (3)四极滤质器 四极滤质器由四根平行的金属杆组成,其排布见右图所示。被加速的离子束穿过对准四根极杆之间空间的准直小孔。通过在四极上加上直流电压U和射频电压Vcos?t,在极间形成一个射频场,离子进入此射频场后,会受到电场力作用,只有合适m/z的离子才会通过稳定的振荡进人检测器。 只要改变U和V并保持U/V比值恒定时,可以实现不同m/z的检测。 第一节 质 谱 仪 四极滤质器 第一节 质 谱 仪 四极滤质器分辨率和 m/z 范围与磁分析器大体相同,其极限分辨率可达2000,典型的约为700。其主要优点是传输效率较高,入射离子的动能或角发散影响不大;其次是可以快速地进行全扫描,而且制作工艺简单,仪器紧凑,常用在需要快速扫描的GC-MS联用及空间卫星上进行分析。 (4)离子阱检测器 离子阱是一种通过电场或磁场将气相离子控制并贮存一段时间的装置。离子阱由一环形电极再加上下各一的端罩电极构成。以端罩电极接地,在环电极上施以变化的射频电压,此时处于阱中具有合适的m/z 的离子 第一节 质 谱 仪 将在阱中指定的轨道上稳定旋转,若增加该电压,则较重离子转至指定稳定轨道,而轻些的离子将偏出轨道并与环电极发生碰撞。 当一组由电离源(化学电离源或电子轰击源)产生的离子由上端小孔中进人阱中后,射频电压开始扫描,陷入阱中离子的轨道则会依次发生变化而从底端离开环电极腔,从而被检测器检测。这种离子阱结构简单、成本低且易于操作,已用于GC-MS联用装置用于m/z 200 ~ 20
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