第六章半导体器件.pptVIP

(1-*) 6.3 半导体三极管 6.3.1 三极管的结构和分类 6.3.2 电流分配和放大作用 6.3.3 伏安特性和主要参数 (1-*) 6.3.1 三极管的结构和分类 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 6.3 半导体三极管 HOME (1-*) B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 集电结 发射结 HOME (1-*) N N P RB EB 6.3.2 电流分配和放大作用 EC 集电结反偏 发射结正偏 发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 电子与基区空穴复合形成IB IB 穿过集电结形成IC IC 三个极电流的关系为 IC与IB之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 HOME (1-*) B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 HOME (1-*) 6.3.3 伏安特性和主要参数 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 1.伏安特性 HOME (1-*) （1）.输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 HOME (1-*) （2）.输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 HOME (1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 饱和区 截止区 放大区 有三个区： HOME (1-*) 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 HOME (1-*) 例： ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当USB =-2V时： IC UCE IB UCC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IC最大饱和电流： Q位于截止区 HOME (1-*) 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = 2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB UCC RB USB C B E RC UBE USB =2V时： HOME (1-*) USB =5V时: 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = 5V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC UCE IB UCC RB USB C B E RC UBE Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 HOME (1-*) 2.主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? HOME (1-*) 例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = HOME (1-*) 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 HOME (1-*) B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有I