模拟IC模块相关设计.pptVIP

产品设计时的实际考虑 考虑到Vr的精度控制难度及会带来的稳定性问题，设计应留有充分的裕量。尝试着将R3取大。 Vr不可能取Vc及以上； 考虑到Vc可以工作在4.7V+，所以Vr应在4.7 V以下。 令R1=R2=1K, R3=10K, 则（3）式变为 （4.7 * 11）/ 12 Vr （5.7 * 10）/ 12 即：4.3 Vr 4.75（V）， 取Vr = 4.5V * 浙大微电子 */44 作业布置 FSK功能模块设计实现： 输入一个564KHz的方波作为键控信号， 当键控信号为1时，模块产生并输出4.5MHz左右的信号(*8) 当键控信号为0时，模块产生并输出3.9MHz左右的信号(*7) 用模拟电路的方法实现（MOS管级，不是模块级） 2.电路图设计（手工绘制，用Schametic Editing 输入电脑） 3.仿真验证（Spectre） 4.全定制版图设计（Layout Editing） 用数字电路的方法实现 5.HDL代码编写(手工编写，用文本编辑器输入电脑)及仿真 6.逻辑综合(时序是否满足，上升下降延时情况。Modelsim) 7.自动布局布线的版图设计（Astro） * 浙大微电子 */44 PDP数字电视显示器驱动芯片 3 3 3 整体电路图 高压输出 高低压转换 移位锁存 * 浙大微电子 */50 高压输出电路部分 * 浙大微电子 */50 高低压转换接口电路 * 浙大微电子 */50 移位寄存器和锁存器 * 浙大微电子 */50 整体版图 A B C * 浙大微电子 */50 高压输出电路版图(A) * 浙大微电子 */50 高低压转换接口部分的版图(B) * 浙大微电子 */50 移位寄存器和锁存器的放大版图（1千倍） * 浙大微电子 */50 Thanks ！ * 浙大微电子 */44 浙大微电子 模拟IC及其模块设计 微电子与光电子研究所 韩雁 2014年3月 第三讲 内容 IC制造工艺及模拟IC工艺流程 模拟IC设计需要具备的条件 模拟IC设计受非理想因素的影响 带隙基准源的设计 运算放大器的设计 电压比较器的设计 压控振荡器的设计 过温保护电路的设计 欠压保护电路的设计 * 浙大微电子 */44 内容 IC制造工艺及模拟IC工艺流程 模拟IC设计需要具备的条件 模拟IC设计受非理想因素的影响 带隙基准源的设计 运算放大器的设计 电压比较器的设计 压控振荡器的设计 过温保护电路的设计 欠压保护电路的设计 * 浙大微电子 */44 1、IC制造工艺及模拟IC工艺流程 IC制造工艺 数字IC电路（ CMOS工艺） 模拟IC电路（Bipolar工艺、CMOS工艺） 数模混合信号IC电路（ CMOS、BiCMOS工艺） 功率IC电路（ BCD工艺，SOI工艺） ASIC制造常用工艺（um） 标准CMOS工艺 (0.5, 0.35, 0.18, 0.13, 65nm) * 浙大微电子 */52 Bipolar / CMOS / DMOS / SOI 工艺 CMOS DMOS SOI Bipolar * 浙大微电子 */52 1、IC制造的基本工艺流程 1、P阱 (或N阱) 2、有源区 (制作MOS晶体管的区域) 3、N-场注入 ( 调整P型MOS管场区的杂质浓度,减小寄生效应 ) 4、P-场注入 ( 调整N型MOS管场区的杂质浓度,减小寄生效应 ) 5、多晶硅栅 ( MOS管的栅极或称门极 ) 6、N+注入 ( 形成N型MOS管的源漏区 ) 7、P+注入 ( 形成P型MOS管的源漏区 ) 8、引线孔 ( 金属铝与硅片的接触孔 ) 9、一铝 ( 第一层金属连线 ) 10、通孔 ( 两层金属铝线之间的接触孔 ) 11、二铝 ( 第二层金属连线 ) 12、压焊块 ( 输入、输出引线压焊盘 ) * 浙大微电子 */44 2、模拟IC设计需要具备的条件 电路设计软件及模型 电路图绘制软件 （Schematic Capture） 电路仿真验证 软件（SPICE） 器件工艺模型（SPICE MODEL） ********** *************************************************************** **** * 浙大微电子 */44 某IC制造公司提供的SPICE Model （NMOS ） *NMOS ( NML7 ) .MODEL 1 NMOS LEVEL=1 VTO=0.7 KP=1.8E-5 TOX=7E-8 LD=1.0E-6 XJ=1.0E-6 UO=320 G