L7固体的光学性质和光电现象(1).pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 理论计算可得：在直接跃迁中，对任何k值的跃迁都是允许的，则吸收系数与光子能量关系为： 直接跃迁吸收系数与光子能量的关系 §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * Ⅱ 间接跃迁——间接带隙半导体 动量守恒： 电子吸收光子从价带顶跃迁到导带底的过程中， 这类半导体称为间接带隙半导体。非直接跃迁是电子、光子和声子共同参与的跃迁。 能量守恒： 其中，Ep为声子的能量； 为声子的动量。 §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * 动量守恒： 能量守恒： §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * 略去光子动量，得 式中q是声子波矢 可见，在非直接跃迁过程中，电子不仅吸收光子，同时还和晶格交换一定的振动能量，即放出或吸收一个声子，电子波矢k发生改变。这种跃迁也称间接跃迁。 §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * 间接跃迁为一个二级过程（电子与光子作用，电子与声子作用），因此其发生概率比直接跃迁小得多，相应的吸收系数也小。 吸收系数的理论表达式为： §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * ——吸收声子和发射声子的跃迁均发生 ——只能发生吸收声子的跃迁 ——跃迁不能发生 §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * 光子能量大于hv0后，一开始就有强烈吸收，吸收系数陡峻上升，反映出直接跃迁过程。 随着hv的增加，吸收系数首先上升到一段较平缓的区域，这对应于间接跃迁； 向更短波长方面，随着hv增加，吸收系数再一次陡增，发生强烈的光吸收，表示直接跃迁的开始。 间接带隙半导体中，仍可能发生直接跃迁。 §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * 对重掺杂半导体（如n型），EF 进入导带，低温时，EF 以下能级被电子占据，价带电子只能跃迁到EF 以上的状态，因而本征吸收长波限蓝移，即伯斯坦移动(Burstein-Moss效应)。 在强电场作用下，能带倾斜，小于Eg的光子可通过光子诱导的隧道效应发生本征跃迁，既本征吸收长波限红移，即弗朗兹-克尔德什（Franz-Keldysh）效应。 §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * （1）其他吸收过程 Ⅰ 激子吸收 导带 价带 能隙(禁带） 激子能级 光子能量hvEg，价电子由价带向稍低于导带底处的的能级的跃迁。这些能级可以看作是一些电子-空穴（或叫做激子）的激子能级。 价带电子受激发后不足以进入导带而成为自由电子，仍然受到空穴的库仑场作用。实际上，受激电子和空穴互相束缚而结合在一起成为一个新的系统，这种系统称为激子，这样的光吸收称为激子吸收。 §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * 导带 价带 能隙(禁带） 激子能级 处于这种能级上的电子，不同于被激发到导带上的电子，不显示光电导现象，它们和价带中的空穴偶合成电子-空穴对（激子）。 激子作为整体是电中性的，因此不形成电流。它可以在晶体中运动一段距离后再复合湮灭。 §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * 激子消失的途径： 通过热激发或其它能量的激发，使激子分离成为自由电子或空穴； 激子中的电子和空穴通过复合，使激子消灭而同时放出能量（发射光子或同时发射光子和声子）。 §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * 激子能级图 激子吸收光谱 激子吸收谱必须在低温时才能观察到。第一个吸收峰对应光子能量为 ，n值越大，激子能级准连续，与本征吸收光谱合并。室温下，激子吸收峰完全被抹掉。 激子吸收谱 §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * 对于一般半导体材料，当入射光子的频率不够高，不足以引起电子从带到带的跃迁或形成激子时，仍然存在着吸收，而且其强度随波长增大而增加（如图所示）。这是自由载流子在同一带内的跃迁所引起的，称为自由载流子吸收。 Ⅱ 自由载流子吸收 §7 固体的光学性质与固体中的光电现象(1) 7.4 半导体的光吸收 * 与本征