透射电子显微镜成象基本原理.pptVIP

激发试样产生的二次电子或背散射电子,这些电子是经过双聚光镜及物镜高度聚焦后才射到试样表面的.由于物镜的焦深长,因此,在试样表面凹凸不平的位置上都能满足聚焦条件而获得清晰的图象.从本质上说,扫描电镜的景深是来源于物镜的焦深.这是由于物镜的焦深长,才能使得粗糙不平的试样表面上很宽的深度范围都满足适焦条件使得图象具有明显的立体感. 五.扫描电镜的图象衬度原理 它主要是利用试样表面在高能电子束所激发出来的二次电子或背散射电子信号,通过接收放大在荧光屏上显示出来.它的衬度首先取决于信号性质即二次电子或背散射电子,其次取决于试样材料本身的性质.特别是试样表面的结构与性质.例如凹凸不平情况,成分差别,晶体取向及表面电位分布等.除此之外,扫描电镜成象还涉及到电子光学系统.如电子束斑的大小和象散,因此,也将影响到图象的衬度.最后,成象不是直接由二次电子或背散射电子显象,而必须经过一系列的电子线路将它们放大并在荧光屏上扫描显示 2. 二次电子能量低,电子轨迹容易弯曲,二次电子象不形成背影.在收集极上加上250伏电压,低能的二次电子在正电场作用下折向收集极,它不但增强了有效收集立体角,提高二次电子所具有的这种翻越障碍,是曲线进入检测器的能力,使得试样表面凹坑内部的细节也能被清楚的显示出来,使二次电子象具有整体的立体感. 3. 二次电子的产额δ(δ=Is/Ip, Is—激发的二次电子流, Ip—入射电子流)强烈地依靠于入射电子束与试样表面法线间的夹角θ,对于光滑试样表面 ,入射电子束能量大于1kev时,二次电子产额δ与θ关系为: δ～1/cos θ. 旋转试样,改变θ角,可测得 δ 与θ的关系. 这是因为① θ 增大,入射电子束在试样内运动的总轨迹增长,电子增多;② θ增大,作用体积接近表面层,因而作用体积内产生的大量自由电子离开表面层的机会增加,这就造成了试样各种不同形状的表面所逸出的二次电子产额不同,从而形成扫描电镜的表面形貌象. 一般试样比较复杂的,如上述部位,由于它的θ角大,产生二次电子多,因此异常亮. * 如果o处θ= θ B, s=0在其两侧晶面向相反方向发生转动,s的符号相反,且离开o点的距离愈大,则︱s︱愈大,所以在衍衬图象中对应于s=0的I g max亮线(暗场)或暗线(明场)两侧,还有亮,暗相间的条纹出现,(因为峰值强度迅速减弱,条纹数目不会很多),同一亮线或暗线所对应的样品位置,晶面具有相同的位向(s相同),所以这种衬度特征也叫做等倾条纹.如果倾动样品面,样品上相应于s=0的位置将发生变化,消光条纹的位置将跟着改变, 在荧光屏上大幅度扫动.等厚消光条纹则不随晶体样品倾转面扫动,这是区分等厚条纹与等倾条纹的简单方法(参看照片). 3. 消光距离 从(4-3),(4-4)中得到消光距离为 ζ g = πV ccosθ/λF g (4-6) 由于电子衍射θ很小, cosθ≈1,所以 ζ g = πV c/λF g 根据式(4-4) I D= π2sin2(πst)/ ζg (πs)2 强度公式可知,暗场向的衍射强度是晶体厚度t和偏离参量s的正弦周期函数. 当一束平行电子波进入晶体试样时,开始透射波强度(I o-I g)极大,衍射波I g为0,所以开始时透射波强度等于I o(入射波强度).随着入射晶体深度的增加,透射波减弱,衍射波逐渐增大,达到一定深度时I g= I g max,随着深入厚度的增加,强度最大和最小发生周期性交错变化,或周期性振荡,显然当衍射波强度为0时,可以认为时消光的,因此,两衍射波强度为0之间的距离称为消光距离.如上图.不同加速电压(λ),不同晶体(V c),不同晶面(F g) , ζ g也不同 . 二. 衍射强度的振幅—位相图解法 处理相干散射波的合成波振幅除了使用前述的计算方法外,还可以应用矢量图方法，这种方法称为振幅--位相图解法. 由(4-3)可改写成: φg=∑iπ/ξ g?e-2 πiszdz. 在深度为Z处的散射波相对于样品上表面原子层散射波的位相角α=2 πsz(前述),该深度处厚度元dz的散射波振幅d φg. φg= ∑d φge-i π = ∑d φge-2 π isz 比较上二式,考虑到π和ξ g都是常数,所以, d φg=iπd z/ ξ g∝ d z 如果取所有的dz都是相等的厚度元,则暂不考虑比例常数(iπ/ ξ g)而把c作为一个厚度元dz的散射振幅,而逐个厚度元的散射元之间相对位相角差为dα=2π s dz,于是,在