半导体激光器原理知识讲解.pptVIP

DFB-LD的增益与损耗 工作特性 1.阈值电流 Ith 影响阈值电流的因素： 有源区的体积：腔长、条宽、厚度 材料生长：掺杂、缺陷、均匀性 解理面、镀膜 电场和光场的限制水平 随温度增加，损耗系数增加，漏电流增加，内量子效率降低，这些都会使阈值电流密度增加 工作特性 2.特征温度To（表征激光器的温度稳定性）： 测试：To = Δ T / ΔLn（Ith） 影响To的因素：限制层与有源层的带隙差Δ Eg 对InGaAsP长波长激光器，To随温度升高而减小 ΔEg 工作特性 3.外微分量子效率ηd （斜率效率）： 可以直观的用来比较不同的激光器性能的优劣。 ηd = ΔP / ΔI 外微分量子效率并不是越大越好，如果太大，光功率输出随注入灵敏度太高，器件容易被损坏。 工作特性 4. 峰值波长随温度的改变Δλb / ΔT： 对F-P-LD，当激光器的温度升高时，有源区的带隙将变窄，同时波导层的有效折射率发生改变，峰值波长将向长波长方向移动。约为0.5nm/℃ 。 对DFB-LD，激射波长主要由光栅周期和等效折射率决定，温度升高时光栅周期变化很小，所以Δλb / ΔT小于0.1nm /℃ 。 F-P-LD与DFB-LD的频率啁啾 工作特性 5.光谱宽度 6边模抑制比 7上升/下降时间 8串联电阻 9热阻 各特性的关系 DFB-LD芯片制造 一次外延生长 光栅制作 二次外延生长 脊波导制作 欧姆接触、减薄 解理成条 端面镀膜 解理成管芯 TO-CAN 1.光栅制作 1.全息曝光 2.干法或湿法刻蚀 2.二次外延生长 生长： 1.低折射率层 2.腐蚀停止层 3.包层 4.帽层：接触层 3.一次光刻 一次光刻出双沟图形 4.脊波导腐蚀 选择性腐蚀到四元停止层 5.套刻 PECVD生长SiO2 自对准光刻 SiO2腐蚀 6.三次光刻：电极图形 7.欧姆接触 P面溅射TiPtAu 减薄 N面 TiAu 端面镀膜 先解理成条 端面镀膜:高反膜\增透膜 端面镀膜的作用: 1.增大出光功率，2.减小阈值电流 高反膜80-90%，增透膜5-10% 面发射激光器 Vertical Cavity Surface Emitting Laser VCSEL 的优点 ●易于实现二维平面和光电集成；●圆形光束易于实现与光纤的有效耦合；●有源区尺寸极小，可实现高封装密度和低阈值电流；●芯片生长后无须解理、封装即可进行在片实验；●在很宽的温度和电流范围内都以单纵模工作；● 成品率高、价格低。 半导体激光器原理与制造 Semiconductor laser diode PrincipleFabrication 主要内容 1.半导体物理基础知识 2.半导体激光器工作原理 3.工作特性及参数 4.结构及制造工艺 5.面发射激光器 能带理论:晶体中原子能级分裂 晶体中的电子作共有化运动，所以电子不再属于某一个原子，而是属于整个晶体共有 晶体中原子间相互作用，导致能级分裂，由于原子数目巨大，所以分裂的能级非常密集，认为是准连续的，即形成能带 电子总是先填充低能级，0K时，价带中填满了电子，而导带中没有电子 导体 绝缘体 半导体 能带中电子和空穴的分布 导带中绝大多数电子分布在导带底。 Ef为费米能级，它在能带中的位置直观的标志着电子占据量子态的情况。 费米能级位置高，说明有较多能量较高的量子态上有电子。 能带中电子和空穴的分布 N型半导体中的电子和空穴在能级中的分布（热平衡状态） 能带中电子和空穴的分布 P型半导体中的电子和空穴在能级中的分布（热平衡状态） 量子跃迁 光的自发发射 （是半导体发光的基础） 光的受激吸收 （是半导体探测器工作的基础） 量子跃迁 光的受激发射：光子激励导带中的电子与价带中的空穴复合，产生一个所有特征（频率、相位、偏振）完全相同的光子。它是半导体激光器的工作原理基础。 量子跃迁 非辐射跃迁： 异质结界面态的复合 缺陷复合：有源区都是本征材料 俄歇复合：对长波长激光器的量子效率、工作稳定性和可靠性都有不利影响 量子跃迁 特点： 直接带隙和间接带隙半导体 直接带隙半导体跃迁几率高， 适合做有源区发光材料 （如GaAs，InP，AlGaInAs） 间接带隙半导体电子跃迁时：始态