十二章装配与封装.pptVIP

6、无引线芯片载体（LCC)：一种电极被管壳周围边缘包起来以保持低剖面的封装形式。LCC或者插入插槽座或者被直接焊到电路板上，采用插槽座是为了容易现场取下升级或修理。 12.2.2陶瓷封装 应用于要求具有气密性好、高可靠性或者大功率的情况。 陶瓷封装有两种方法： 耐熔（高熔点）陶瓷 薄层陶瓷 一、耐熔陶瓷 1、耐熔陶瓷基座：由氧化铝（Al2O3)粉和适当的玻璃粉及一种有机媒质混合而构成的浆料，被铸成大约1密耳（1密耳约25微米）厚的薄片，干化，在各层制作用户连线电路的布线图案，用金属化通孔互连不同的层，几个陶瓷片被精确地碾压在一起，然后烧结构成一个单一地熔结体。 2、耐熔陶瓷种类：可根据烧结温度地不同分为 高温共烧结陶瓷（HTCC）——烧结温度1600 °C 低温共烧结陶瓷（LTCC）——烧结温度850 °C 到 1050 °C 3、耐熔陶瓷封装材料的挑战： 高收缩性（使公差难以控制） 高介电常数（增加了寄生电容，并影响高频信号） 氧化铝的电导率（称为信号延迟的原因） 4、陶瓷封装的形式： 最常用的管脚形式是100密耳间距的铜管脚，组成针栅阵列（PGA）管壳，这是为电路板装配的插孔式管壳。PGA被用于高性能集成电路，PGA管壳经常需要一些散热片或小风扇排出管壳内产生的热。 二、薄层陶瓷 陶瓷封装的一种低成本方法是在引线键合后，将两个陶瓷件压在一起，引线框架被定位在它们之间，这种封装被称为陶瓷双列直插，使用低温玻璃材料将陶瓷层密封。 12.3先进的装配与封装 未来封装目标：通过增加芯片密度并减少内部互连数来满足。目标是具有更少互连的封装；缩小集成电路管壳的尺寸，适应最终用户应用和整个外形的新技术设计的需求；增加更多输入/输出管脚。 先进的封装设计包括： 倒装芯片 球栅阵列 板上芯片 卷带式自动键合 多芯片模块 芯片尺寸封装 圆片级封装 12.3.1倒装芯片 1、什么是倒装芯片——是将芯片的有源面（具有表面键合压点）面向基座的粘贴封装技术。 2、倒装芯片的优点——它是目前从芯片器件到基座之间最短路径的一种封装设计，为高速信号提供了良好的电连接。由于不使用引线框架或塑料管壳，所以重量和外型尺寸也有所减小。 3、基座材料——陶瓷或塑料。 4、芯片上的用于键合的凸点——5％Sn和95％Pb组成的锡、铅焊料。 5、焊料凸点工艺被称为C4（controlled collapse chip carrier),由IBM于20世纪60年代开发。 C4工艺——C4焊料凸点使用蒸发或物理气相淀积（溅射）法淀积在硅的芯片压点上，压点上的C4焊料要求要特殊冶金阻挡层（B LM)，BLM提供到压点良好的C4焊点粘附并禁止扩散。传统上C4凸点的直径在10密耳的间距时是4密耳。芯片的C4焊料凸点被定位在相应的基座接触压点，用热空气加热，并稍微加压力，引起C4焊料回流并形成基座和芯片间的电学和物理连接。 5、环氧树脂填充术 为何采用环氧树脂填充术？ 关于倒装芯片可靠性的一个重要问题是硅片和基座之间热膨胀系数失配，严重的热膨胀系数失配将应力引入C4焊点并由于焊点裂缝引起早期失效，可通过在芯片和基座之间用流动环氧树脂填充术使问题得以解决，环氧树脂的热膨胀系数被匹配到C4焊点，使作用于C4焊点的应力有效地减小，使用填充术，在C4焊点上应力能被减少10倍以上。 6、输入/输出管脚数 倒装芯片技术是面阵技术，在封装中可以引入更多的管脚数。C4焊料凸点被放在整个芯片表面上，增多的管脚有效地利用了芯片的表面积。 12.3.2球栅阵列（BGA） 基座：基座材料有陶瓷或塑料。塑料基座具有比陶瓷更低的介电常数，这将因为减少信号传输延迟而使高频性能和高速开关改善。基座具有用于连接基座与电路板的共晶Sn/Pb焊料球面阵列。 BGA工艺：使用倒装芯片C4或引线键合技术将芯片粘附到基座的顶部。 BGA特点：管脚数增多，高密度的BGA封装具有多达2400个管脚，BGA焊球间距通常是40、50或60密耳。 12.3.3板上芯片（COB) 又被称为直接芯片粘结（DCA）。使用标准粘贴工艺将芯片环氧树脂粘贴并用引线键合到基座上（通常是印刷电路板）。在硅芯片周围没有管壳，环氧树脂直接覆盖，常称滴盖子。 图形游戏卡和智能卡上的应用。 12.3.4卷带式自动键合（TAB） 卷带式自动键合是一种多I/O封装方式，使用塑料带作为芯片载体。这种塑料带具有夹在两层聚合物介质膜之间的薄铜箔，铜被刻蚀以形成与芯片压点匹配的电极，带有用于粘附芯片的凸点内电极键合区（ILB）以及可焊料粘附到电路板的外电极区（OLB）。一旦芯片被粘附在ILB，可用被称为滴盖子的环氧树脂将芯片覆盖以进行保护，并将带卷成卷