场效应管及放大电路备课讲稿.pptVIP

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2019-10-07 发布于天津
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场效应管及放大电路备课讲稿.ppt

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场效应管是利用电场效应来控制电流大小，与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。;N沟道;1.结构（以N沟道JFET为例）;2. 工作原理;综上分析可知;# JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？;uGD=UGS(off)时称为预夹断;uGD=UGS(off)时称为预夹断;① 夹断电压VP (或VGS(off))：;绝缘栅型场效应管( Insulated Gate Field Effect Transister);1. 结构和符号（以N沟道增强型为例）;2. 工作原理（以N沟道增强型为例）;（1）栅源电压VGS的控制作用;（1）栅源电压VGS的控制作用;（2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用;（2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用;（2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用; ID=f(VGS)?VDS=const 转移特性曲线;输出特性曲线;;;4.其它类型MOS管;各种类型MOS管的特性曲线;各种类型MOS管的特性曲线;场效应三极管的型号;　绝缘栅型场效应管MOSFET;　2.　耗尽型管;绝缘栅型场效应管特性曲线;各种场效应管所加偏压极性小结;双极型和场效应型三极管的比较;1. 直流偏置电路;（2）混合偏压电路;2. 静态工作点;① 夹断电压VP (或VGS(off))：;3. 主要参数;FET放大电路组成原则及分析方法;1. 直流偏置电路;（2）混合偏压电路;2. 静态工作点;FET的交流参数和小信号模型　FET的主要交流参数;很大，可忽略。;场效应管应用;场效应管应用;例3：共源极电路组成;直流分析（估算法）;交流分析;共漏极放大电路;交流分析;输出电阻;已知：gm=0.3mA/V IDSS=3mA VP=-2V 试分析该电路。;动态分析： Ri=Rg=10MΩ Ro=Rd=15KΩ; 场效应管放大电路小结; 三种基本放大电路的性能比较;输出电阻：;① 夹断电压VP (或VGS(off))：