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达林顿光敏三极管 二、光电元件 (1)光电池 光电池工作原理也是基于光生伏特效应,可以直接将光能转换成电能的器件。有光线作用时就是电源——太阳能电池,所以广泛用于宇航电源,另一类用于检测和自动控制等。 光电池种类很多,有硒光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓电池、氧化铜电池等。硒、硅光电池转换效率高、价廉;砷化镓材料的光谱响应与太阳光谱吻合、耐高温和宇宙射线。 三. 基于外光电效应的光电元件 如图(a)所示,光电池实质是一个大面积的PN结, 当光照射到PN结的一个面, 例如p型面时, 若光子能量大于半导体材料的禁带宽度, 那么p型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴, 电子空穴对从表面向内迅速扩散,如果光照是连续的,经短暂的时间,PN结两侧就有一个稳定的光生电动势输出。最后建立一个与光照强度有关的电动势。 三. 基于外光电效应的光电元件 光电池 三. 基于外光电效应的光电元件 1.光照特性 光照特性是指光电元件的光电流和光电元件上的光照度E的对应关系,用 表示。图是各种光电元件的光照特性,从图(a)可以看出,光敏电阻的光照特性是非线性的,所以,光敏电阻一般在检测电路中被做为开关元件使用。 四、光电元件的基本特性 四、光电元件的基本特性 各种光电元件的光照特性 四、光电元件的基本特性 图(b)是光敏二极管的光照特性,是线性的。因此可以使用光敏二极管检测光信号。图(c)是光敏三极管的光照特性,也是非线性的,但是从图中可以看出相同照度下,光敏三极管的光电流要比光敏二极管大,即灵敏度高。 光电池的开路电压和短路电流均与光照度E有关,开路电压与光照度的关系曲线是非线性的,如图(d)所示,当光照度超过2 000 lx时,开路电压趋于饱和。当负载保持不变,光电池的短路电流和光照度成正比,为线性关系。光电池的负载对短路电路是有影响的,实验测得负载越小,光电流和光照度之间的线性度就越好。 四、光电元件的基本特性 2.光谱特性 光电元件对于不同波长的入射光的相对灵敏度Kr是不同的,即如果有一单色光照射在光电元件上,在保持入射光的功率不变的情况下, 光电流会随着入射光的波长变化而变化。因此将入射光波长和光电元件的相对灵敏度之间的关系称为该光电元件的光谱特性,如图所示为硅光敏晶体管的谱特性。 四、光电元件的基本特性 硅光敏晶体管的光谱特性 四、光电元件的基本特性 光电元件的材料不同,导致各种光电元件对不同波长的光线灵敏度不同。图中的1、2、3分别代表三种对蓝紫光、可见光、红外线敏感的光敏晶体管的光谱特性。 在实际使用时,应该要根据光谱特性来确定光源和光电元件是否匹配,要使所选的光电元件工作灵敏度在较高的光谱区间。 目前已经研制出了几种光敏材料的光谱波长峰值见表,表是光的波长和颜色的关系。 四、光电元件的基本特性 几种光敏材料的光谱峰值波长 光的波长与颜色的关系 四、光电元件的基本特性 各种光电元件的伏安特性 四、光电元件的基本特性 3.伏安特性 图为各种光电元件的伏安特性曲线。图(a)为光敏电阻的伏安特性,从图中可知光敏电阻两端电压越高,相同照度下,产生的光电流越大。图(b)为光电池的伏安特性曲线,从图中可以看出,当负载电阻较小(100 Ω)时,光照度每变化100 lx,输出的光电流基本上间隔相等,两者成线性关系;当负载增大时,光电流和光照度之间的非线性越来越明显。所以尽量要减小负载电阻对光电池输出光电流的影响。图(c)和图(d)为光敏二极管和光敏三极管的伏安特性,与普通二极管和三极管的伏安特性类似。 四、光电元件的基本特性 4. 温度特性 温度对光电元件影响较大,尤其是对光敏电阻和光敏晶体管,温度主要是对光电元件的暗电流影响较大。暗电流的增大会影响元件的灵敏度,还会给微光测量带来误差。一般硅管的暗电流比锗管的要小很多,所以通常采用硅管,并且通过差动放大器等提高灵敏度。 5. 响应时间 一般工业用的硅光敏二极管的响应时间较短,在10-7~10-5s左右,硅光敏三极管由于要进行电流放大,比光敏二极管要慢一个数量级,光敏电阻的响应时间比光敏三极管还要慢。所以在需要快速响应或者入射光调制频率较高时,应采用硅光敏二极管检测。 四、光电元件的基本特性 光电耦合器件是由发光元件(如发光二极管)和光电接收元件合并使用, 以光作为媒介传递信号的光电器件。光电耦合器中的发光元件通常是半导体的发光二极管, 光电接收元件有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光敏晶闸管等。根据其结构和用途不同,又可分为用于实现光电隔离的光电耦合器和用于检测有无物体的光电开关。 从原理上讲,光电开关及光电耦合器没有太大的差别,都是由红外线发射元件构
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