传感器第6章热电式传感器.ppt

三、具有内部参考电压的温度传感器 PTAT温度传感器与单个晶体管温度传感器一样，在通常温度下存在大的起始失调信号。例如，在300K温度下，用PTAT温度传感器检测0.1K的温度变化，要求分辨率为3000：1。若输出信号使用摄氏或华氏温标计量温度，要求分辨率仅为270：1。比例表明如果测量温度范围较小，温度传感器最好在测量温度附近标定“零”点。图6-34所示的电路包括PTAT温度传感器、参考电压和差分放大器。这种结构的集成温度传感器采用C和F或其他温标。具有内部参考电压的温度传感器，“失调电压”小，标定简单，使用方便，但是，电路中需要许多精密元件，电路需要校准，成本高 图6-16 ℃，F或其他温标的输出信号的温度测量系统 具有内部参考电压温度传感器的电路如图6-35所示，电流源产生的电流为 ，其中 是正比于绝对温度T的电压, 为电源内阻。利用pnp电流源提供晶体管 的偏置电流，高增益反馈放大器 使 的集电极电流等于电流镜的输出电流，输出分路反馈降低了输出阻抗，输出电压 为 (6.19) 等于输出电压 与温度的关系，如图6-18所示。 基极-发射极电压随温度近似线性减小： ，C为曲线的斜率。 如果输出电压在某一温度下取零值时，则输出电压为 （6.20） 可以通过微调电阻 使输出电压 在 时为“零”值。由式（6-43）和图6-18表明，输出电压曲线与垂直轴相交于电压 ，此值与工艺参数无关。这个特性很重要，因为在标定时（如微调 ）， 曲线围绕垂直轴上固定点 旋转，通过调整信号可以得到标定的输出特性。 图6-17具有内部参考电压温度传感器的电路 图6-18输出电压 与温度的关系与温度的关系 实例：常用的具有内部参考电压温度传感器的实例如图6-19所示， 。晶体管1—6构成电流源，两个30P结电容防止由于电路中的热反馈而产生的寄生振荡。二极管 稳定电压，使晶体管 的集电极-基极电压基本与温度无关，而且清除了基区宽度调制效应。在整个温度范围内，使电源电压保持最小值，以降低耗散功率。晶体管 是电流放大器，可以降低输出阻抗。晶体管 防止闸流效应。 图6-19集成温度传感器的电路图 此类集成温度传感器采用集成电路工艺制作在1100的芯片上，40℃下测量，其灵敏度为-4.62V/℃。器件的耗功率很低，自热效应很小。该器件的特性参数如表6-3所示。 表6-3集成温度传感器性能参数 具有内部参考电压的温度传感器是PTAT温度传感器和单个晶体管温度传感器的组合，因而它兼备两者的优点，克服了缺点，是实用价值较高的一种温度传感器。 单个晶体管温度传感器、PTAT温度传感器和具有内部参考电压的温度传感器都是基于pn结的正向电压随温度升高而下降的机理制成，各有特点。单个晶体管温度传感器结构简单，成本低，功耗小，缺点是随偏置电流的改变而发生变化，失调电压大；PTAT温度传感器灵敏度与偏置电源无关，具有较高的输出阻抗，抗磁干扰能力强，但失调电压大，成本高；具有内部参考电压温度传感器灵敏度与偏置电源无关，输出阻抗低，抗电干扰能力强，但是成本较高。三种类型温度传感器的特性参数如表6-4所示。 表6-4p—n结温度传感器性能参数 6.4其他测温传感器 6.4.1磁式温度传感器 有些磁性材料，如热敏铁氧体，它的导磁系数()随着温度变化而明显地变化，而且在一特定温度下特性将发生剧烈地变化，该温度称为居里温度7c，改变铁氧体的组成成分，Tc可以在相当大的范围内自由变化，其特性示于图6—38中。 因此，利用热敏铁氧体的这种特性，可以与开关机构联动，或将磁铁、热敏铁氧体与弹簧开关组合应用，制成定温控制开关。改变铁氧体成分，可使控制范围达—40一200℃，定温精度可达土l℃。 6.4.2电容式温度传感器 以(BaSrTiO3为主的陶瓷电容器的介电常数随温度的变化而变化，因此其电容量亦随温度而变化，其特性曲线如图6—39所示。据此可将被测温度转换为相应的电容，结晶陶瓷电容器的低温特性较好，可用于校低温度的测量。但是，这类陶瓷电容器的容量大都会在高温、高湿状态下发生变化，必须注意防潮。 图6—38铁氧体的与温度的关系 图6—39BaSrTiO3陶瓷电容器的电容容量与温度的