L10-化合物半导体材料.pptVIP

§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 3、ZnO有较高的激子复合能为60meV，理论上有可能实现室温下较强的紫外受激发射，制备出性能较好的探测器、LED和LD等光电子器件。 4、ZnO有很好的成膜特性，能在较低的温度（200℃-650℃）下制备出有较好晶体质量的ZnO薄膜。 5、ZnO薄膜的原料丰富、成本低、无毒、对环境无污染，是环保型材料。 §10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 1) 未掺杂ZnO的导电机制—n型导电 未掺杂氧化锌薄膜中存在的缺陷主要是点缺陷，即氧缺位或金属锌原子过剩，这些缺陷是ZnO薄膜中载流子的主要来源。 氧缺位使薄膜晶体结构中锌与氧的化学计量比大于1:1。此时薄膜中就会存在过剩的正电荷，为了保持电中性，就会在氧缺位周围聚集同样多的电子，由于电子与缺陷之间的束缚力非常弱，在常温下就能获得足够高的能量脱离其束缚而成为自由电子，所以此类薄膜为n型半导体薄膜，其电阻率高于106??cm。 (3) ZnO掺杂 §10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 2) n型掺杂的ZnO 为了提高氧化锌薄膜中的载流子浓度，可以采取适当掺杂的方法来实现。作为第Ⅱ-Ⅵ族化合物的氧化锌，可以掺入Ⅲ族元素B、