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第 29 卷 第 4 期 人 工 晶 体 学 报 Vol . 29 4
No .
2000 年 11 月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS November ,2000
大直径直拉硅单晶炉热场的改造及数值模拟
任丙彦 ,刘彩池 ,张志成 ,郝秋艳
(河北工业大学半导体材料研究所 ,天津 300130)
( )
摘要 :为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入 ,对常规的 406mm 16 英寸 热场进行了改造 。
设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统 ,使晶体生长过程中熔体热对流减小 。通过对热场
的数值模拟计算 ,分析了热场的温度分布 ,发现熔体的纵向温度梯度下降 ,熔体热对流减小 ,硅单
晶中氧含量降低 。
关键词 : 直拉硅单晶; 热场 ; 加热器 ; 热对流 ; 氧含量 ; 数值模拟
( )
中图分类号 :O78 文献标识码 : A 文章编号 :1000985X 2000
Improvement and Numeric Simulation for Heat Zone in
Largedia meter Si Single Crystals Furnace
R EN B ingy an , L I U Caichi , ZHAN G Zhicheng , HA O Qiuy an
( Institute of Semiconductor Materials ,Hebei University of Technology ,Tianj in 300130 ,China)
( )
Received 10 March 2000 , accepted 15 J une 2000
Abstract : In order to reduce oxygen content in largediameter Czochralski Si single crystal
(CZSi) ,we have modified the heat zone in 406mm ( 16in . ) system. Thermal convection of melt
has been suppressed by our new heat system with composite heater . Distribution of temperature
filed was calculated by numeric simulation . The result indicated that axial temperature gradient
was decreased due to the decrease of thermal convection in the melt . The concentration of
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