半导体物理与器件 西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY 张丽 第11章 MOSFET基础1.2 C-V特性 1.3MOS管原理 理想MOS电容的CV特性 氧化层电荷对CV特性影响 界面态概念及对CV特性影响 1.2 C-V特性 需掌握内容 理想情况CV特性 CV特性概念和CV特性测试原理 MOS电容在不同半导体表面状态下的特点和公式 频率特性 高低频情况图形及解释 思考:若直流电压变化快,CV曲线如何? 非理想CV曲线 氧化层电荷对CV特性影响 界面态产生、分类及对CV特性影响 1.3 MOSFET原理 本节内容 MOSFET基本结构 电流电压关系——概念 电流电压关系——推导 跨导和沟道电导 衬底偏置效应 1.3 MOSFET原理 MOSFET分类(4) 按载流子类型分: NMOS;PMOS: 按导通类型分: 增强型;耗尽型: 四种MOS晶体管: N沟增强型;N沟耗尽型;P沟增强型
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