半导体管的命名标准.docxVIP

导体分立器件的型号命名方法 半导体分立器件的型号命名方法: 1国标命名方法：（引自GB249-74 . 1975） 半导体器件有5部分纽成 第一?部分：用数字表示器件的电极数冃.2.二极管。 3,三极管 第二部分：用汉语拼音农示器件的材料极性。 二极管：A.N错材料? B.P错材料.C.N硅材料,D.P硅材料.三圾管：九PNP错材料? B.NPN错材料.C. PNP硅材料.D.NPN硅材料? E.化合物材料. 第三部分：用汉谄拼音衣示器件的类型， P普通管，V 微波诗，*稳压管，C笏址管，Z鑿流管，L整流堆，S降道管，N阻尼管，U光电管，X低频小功率，G髙频小功率，D低频大功瓠八髙频大功率，T体 效应管? B雪朋管.J 阶跃恢复管，CS场效应管，BT半导体特燃器件，FH复合管，PIN, PIN管，JG激光管。 第四部分：用数字农示器件的序号?第五部分：用汉语拼音表示规格号. aloevera收藏分享 aloevera 2# E3发表于2010-10-25 23:15 |只看该作者 美国半导休浮件的倚名方法： 关国半导体器fT的命名比絞混乱，这里介绍的晁关国电子丄业协会（E1A）规定的品体行分立器fl的命幺法。 威望 第二部分：用数字表示PN结数?U二极管? 2 ?三极符? ? ? 822 金钱 第三部分：关国电子工业协会(EIA)注册标志,N 843 第四部分：关国电子工业协会(EIA)登记序号。 第五部分：同型号的不同档别，九B, C… 1除询统以外.凡以1 N,2N,3N开头的器件，大务为美国制造?或美国专利。 2第四部分只是登记序号，无其他感义，所以相邻号参数也许相左很人。 3,不同厂家生产性能-致的器件使用同一登记号，故可以通用。 TOP 34 □发表于2010-10-25 □发表于 2010-10-25 23:16 只看该作者 aloevera助理工程师也 aloevera 助理工程师也令威望 822 金钱 欣洲半寻休分立器件的型号命名方法： 目前欧洲徐国没有明确统一的型号命名方法，但人部分欣洲共同体的国家-?般使用国际电子联合会的标准版导体分立 落件的型号命名方法. 第?部分：用字母表示材料:A错材料.B硅材料.C碎化钾? D綁化锢.R复合材料。 第二部分：用字母表示类盘. A检波开关和混频二极管,B 变容二极管.C低频小功率三极管,D低频大功率三极管.E隧道二极管，F高频小功率三极管，H盛效二极管? K开放 磴路崔尔器件，H密対磴路施尔器件，P光城器件，Q发光器件.R小功率可控硅，T大功率可控硅，U大功率开关筲，X倍增 二极管， Y整流二极管? Z齐纳二极管丄高频大功率管.S小功率开关管 第三部分:通用半导休器件的登记序号. aloevera 助理工程师 威望 笫四部分：同型号器件的分档标志. TOP 4° E3发表于2010-10-25 23:18 只看该作者 日本半导体器件的命名方法： 第一部分：用数字液示器件的电极数.0.光电管? 1二极符.2三极管? ? ? 第二部分：S:已在日本电子工业协会（JEIA）注册的标志. 第三部分：用字母表水材料的类型：A,PNP高频，B,PNP低頻，C,NPN髙频，D,NPN低频，F, P控制极可控硅，G, N控 制极可控硅?儿N 基极单结晶体骨? J, P沟逍场效应骨? K, N沟道场效应管，也双向可控硅. 第卩q部分：器件在JE1A的窃记号，性能相同?但不同厂家的产品可用同号. 第五部分：儿B,C,衷示该型号足原型号的改进型号. 除以上星本符号外，有?时还附仟?些后缀.女H： 822 金钱 843 M：表刀溜件符合日本海上自卫队酸谋部有关标准? N,（外加圈）符合口本广播协会标准。H.（外加圈）口立通信用,K,（外加圈）口立通信用,Z,〈外加I證）松下通信用G.（外加圈｝ 东芝通倍用S.（外加圈）三洋通信用.后缀的第二个字母通馆茨示HEF分档标志. 日本半导体器件的命名方法: 第?部分：用数字表示器件的电扱数，0.光电管，1二极管.2三极管? ? ? 第二部分:S:已在日本电子工业协会（JEIA）注冊的标志. 第工部分：用字母茨示材料的类型:A, PNP高频.B, PNP低频，C,NPN高频，D,NPN低频，F, P控制极可控硅,G, N控 制极可捽硅?儿N 基极单结晶体骨.J, P沟逍场效应骨.K, N沟逍场效应管，讯双向可控硅。 第卩q部分：器件在JEIA的登记号,性能相同?但不同厂家的产品可用同号. 除以上基本符号外.有时还附有?些后缀.如: H:表乐器件符合日本海上自卫队参谋部有关标准? N,（外加圈）符合口本广播协会标准。H.（外加08） 口立通信用,K,（外加圈）口立通信用,Z,〈外加I證）松下通信用G.（外加圈｝ 东芝通信用S.（外加圈）三洋