AlGaN-GaNHEMT栅槽低损伤刻蚀技术.pdfVIP

第 15卷第 2 期 功能材料与器件学报 Vo l15,No2 2009年 4 月 JOURNAL OF FUNCTIONAL MA TER IAL S AND D EV ICES Ap r. , 2009 文章编号 : 1007 - 4252 (2009) 02 - 0 193 - 04 A l Ga N / Ga N HEMT栅槽低损伤刻蚀技术 黄俊 ,魏珂 ,刘新宇 (中国科学院微电子研究所 ,北京 100029) 摘要 :对 A lGaN / GaN H EM T栅槽低损伤刻蚀技术进行研究 ,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用 的 C H ,对 C l /A r / C H 的工艺条件进行了优化 ,有效地降低了栅槽刻蚀造