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第七章 电荷转移器件 Charge-Transfer Devices—CTD 电荷耦合器件 Charge Coupled Devices—CCD 斗链器件 Bucket-Brigate Devices—BBD 科学出版社高等教育出版中心 基本原理 电荷转移器件的核心是MOS电容的有序阵列 加上输入与输出部分。在栅电极加上时钟脉 冲电压时，在半导体表面就形成了能存储少 数载流子的势阱。用光或电注入的方法把代 表信号的少数载流子注入势阱中。通过时钟 脉冲的有规律变化，使势阱的深度发生相应 的变化，从而使注入势阱中的少数载流子在 半导体表面内作定向运动，再通过对少数载 流子的收集和再生得到信号的输出。 2010-1-5 科学出版社高等教育出版中心 2 7.1 电荷转移 2010-1-5 科学出版社高等教育出版中心 3 7.1 电荷转移 教学要求： 1.概念：CTD CCD BBD 2.了解CCD 电荷转移过程。 2010-1-5 科学出版社高等教育出版中心 4 7.1 电荷转移 原理 图7-1 电荷转移系统 2010-1-5 科学出版社高等教育出版中心 5 7.1 电荷转移 在斗链器件中，电荷转移是通过采用分立或 集成的元件在电路级基础上构成的。 在器件级基础上的电荷转移结构是通过电荷 耦合器件CCD实现的。在CCD中，少数载流 子存储于建立在半导体表面的势阱中。这些 载流子通过依次填充和排空一系列势阱沿着 表面输运。在它的最简单形式中，CCD是一 串紧密排布的MOS电容器，如象绘于图7-2 的情形。 2010-1-5 科学出版社高等教育出版中心 6 7.1 电荷转移 CCD 图7-2 三相CDD的基本动作 p+扩散用来限制沟道 2010-1-5 科学出版社高等教育出版中心 7 7.1 电荷转移 若在图7-2a中，电极2偏置在10V，比它附近两个电 极的偏置电压(5V)高，这样就建立了用虚线描绘的 势阱，电荷存储在这个电极下边。 现在让电极3偏置在15V，在电极3下边于是就建立 起一个更深的势阱（图7-2b ）。存储的电荷寻求更 低的电势，因而当势阱移动时它们沿着表面移动。 注意在这种结构中需要个电极，以便于电荷存 储，并且使转移只沿着一个方向。 这三个电极看成是器件的一个级或单元。 2010-1-5 科学出版社高等教育出版中心 8 7.1 电荷转移 小结 CTD的核心是MOS电容的有序阵列(arrays) 加上输入与输出部分。在栅电极加上时钟脉 冲电压时，在半导体表面就形成了能存储少 数载流子的势阱。用光或电注入的方法把代 表信号的少数载流子注入