半导体二极管及其基本电路(2).ppt

模拟电子技术基础 北华航天工业学院电子系 2008.3 第二章 半导体二极管及其 基本电路 2.1 半导体的基本知识 2.2 PN结的形成及特性 2.3 半导体二极管 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.5 特殊二极管 2.3 半导体二极管 2.4 二极管基本电路及其分析方法 1、二极管电路的分析概述 分析思路 任务：求vD、iD目的：(1) 确定电路功能，即信号vI传递到vO 有何变化？ (2) D是否安全。 首先，判断D的状态？ (1)若D反向截止，则相当于开路（ iD ?0，ROFF ? ∞ ）； (2)若D正向导通，则？ 正向导通分析方法： 图解法 等效电路（模型）法 —— 将非线性 ? 线性 先静态（直流），后动态（交流） 静态： vI =0（正弦波过0点） 动态： vI ?0 2. 二极管状态判断 3、等效电路（模型）分析法 5、应用电路分析举例 2.5 特殊二极管 本次课小结 本次课结束 * * 实物图片 2.3.1 半导体二极管的结构 2.3.2 二极管的伏安特性 2.3.3 二极管的参数 半导体二极管 2.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 2.3.2 二极管的伏安特性(三部分） 3、PN结方程（近似） 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 Vth = 0.5V（硅）； Vth = 0.1V（锗） 注意： 1、死区电压（门坎电压） 2、反向饱和电流 硅：0.1?A；锗：10?A 2.3.3 二极管的参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 极间电容CB和CD 硅二极管2CP10的V-I 特性 2.4.1 二极管V-I 特性的建模 2.4.2 应用举例 4、应用电路分析举例 2、二极管状态判断 1、二极管电路的分析概述 3、等效电路（模型）分析法 主要内容 整流 限幅 (应用电路举例) 例2.4.2（习题2.4.12） 习题2.4.5 习题2.4.6 初步分析——依据二极管的单向导电性 D导通：vO = vI - vD D截止：vO = 0 D导通：vO = vD D截止：vO = vI 左图 中图 显然，vO 与 vI 的关系由D的状态决定 而且，D处于反向截止时最简单！ 例1：2CP1（硅），IF=16mA，VBR=40V。求VD、ID。 (a) (b) (c) (d) 正偏 正偏 反偏 反偏 iD IF ？ D反向截止 ID = 0 VD = -10V D反向击穿 iD = ？ vD = ？ 二极管状态判断方法 假设D截止(开路)，求D两端开路电压 普通：热击穿－损坏 齐纳：电击穿 VD = - VBR= -40V VD 0V D正向导通？ - VBR VD ? 0V D反向截止， ID = 0 VD ? - VBR D反向击穿， VD = - VBR D正向导通？ D正向导通！ 例2. 习题2.4.3 电路如图所示，判断D的状态 解： 先断开D，求二极管端电压 则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-6V。 以O为基准电位，即O点为0V。 VD = -6V -(-12V) = 6V 0 ? D接入时正向导通 (1) 理想模型 (2) 恒压降模型 VD = 0.7V（硅）VD = 0.2V（锗） (3) 折线模型 Vth = 0.5V（硅） Vth = 0.1V（锗） （4）小信号模型 (1) 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） （a）VDD=10V 时 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 （b）VDD=1V 时 （略） 例2.4.2 提示 (2) 限幅电路 2.5.1 稳压二极管（齐纳） 2.5.2 变容二极管 2.5