第6常见光波导材料与结构.ppt

光刻：正胶与负胶 负胶 正胶 光刻胶上的图形与掩膜图形互补 光刻胶上的图形与掩膜图形一样 步进投影式光刻机原理图 10:1 5:1 1:1 步进扫描光刻机 两个爱里斑之间的分辨率(瑞利判据): 数值孔径：收集衍射光的能力。n为折射率 分辨率 提高分辨率： NA?，??， 光刻步骤简述 前烘 对准及曝光 坚膜 曝光后烘 248 nm 157 nm 13.5 nm 193 nm EUV光刻 非光学方法光刻技术 纳米压印（Nanoimprint） 基于材料和工艺革新的“侧墙转移”技术（Sidewall/Spacer transfer lithography） X射线光刻技术（XRL） 离子束光刻技术（IBL） 无掩模光刻——电子束（Shaped Beam / Multi-Column / Multi-Beams） 无光源 4. 刻蚀技术 刻蚀的性能参数 刻蚀速率R(etch rate) 单位时间刻蚀的薄膜厚度。对产率有较大影响 刻蚀均匀性(etch uniformity) 一个硅片或多个硅片或多批硅片上刻蚀速率的变化 选择性S(Selectivity) 不同材料之间的刻蚀速率比 各项异性度A(Anisotropy) 刻蚀的方向性A=0, 各项同性；A=1, 各项异性 掩膜层下刻蚀(Undercut) 横向单边的过腐蚀量 图形转移——刻蚀 两大关键问题： 选择性 方