场效应器件物理2 MOSFET进阶.ppt

* 12.6 热载流子效应 LDD结构:工艺2 热载流子定义和类型 热载流子效应对MOSFET器件特性的影响 抗热载流子措施：轻掺杂漏结构的特点及抗热载流子效应的原因 轻掺杂漏形成的简单工艺流程 * 12.6 热载流子效应 需掌握内容 12.6 小结 摩尔定律和利润竞争规则要求器件尺寸不断缩小。 恒定电压按比例缩小 恒定电场按比例缩小 恒定电场按比例缩小后器件结构参数和特性的变化 实际中参数按照不同比例缩小 器件尺寸缩小后不得不面对短沟效应。 沟道变短造成长沟时可以忽略（因为所占比重较小）的效应发生 短沟道造成的强电场引发的短沟效应 亚阈特性的变化 * 12.6小结 变短造成长沟时可以忽略的效应发生 阈值电压的短沟效应 （源漏耗尽区对栅控电荷的影响不可忽略） 阈值电压的窄沟效应 （沟道宽度方向的附加空间电荷区不可忽略） 沟道长度调制效应 （有效沟道长度的降低不可忽略） 源漏穿通造成夹不断，亚阈特性变差 注意衬底掺杂浓度的影响 * 12.6小结 短沟道造成的强电场引发的短沟效应 强场引起速度饱和 （速度饱和后的IV、gm、fT表达式） 弹道效应 （载流子速度大于饱和速度，IV 关系） 强场造成碰撞电离引发沟道雪崩击穿 （雪崩效应与其他击穿机理的联系） 强场引起热载流子效应 （热载流子注入栅氧化层造成氧化层电荷和界面态） * 12.6小结 表面迁移率和亚阈电流 氧化层变薄， 氧化层击穿电压下降 栅电压造成的表面迁移率的下降更明显 亚阈电流的特点： 长沟时：扩散电流是电流主要组成，与栅电压呈指数关系，在漏压大于3kT/q后与漏压无关。 短沟时：源漏穿通效应的影响，亚阈电流与漏压相关，亚阈电流增大。 * MOSFET的几个简单公式： * 12.7小结 0 * 12.7 小结 1 MOSFET功能：开关放大。 性能指标：评价器件功能的好坏 跨导，截止频率，击穿电压，饱和漏电流。 可靠性： 器件的寿命。 器件的环境适应性，（辐射、高温、高湿、振动、温变） MOSFET在弱反型区存在所谓“亚阈值电流”。该电流与栅源电压呈指数关系。 MOSFET在饱和区的有效沟道长度随漏源电压的增加而增加，导致漏源电流略微增加，形成所谓“沟道长度调制效应”。此效应在短沟道和低掺杂衬底中才显著。 沟道迁移率随沟道横向电场和纵向电场的增加而下降。在强的横向电场下，载流子在沟道中的漂移速度将会达到饱和，此时漏源电流与栅源电压呈线性关系 * 缩小MOSFET尺寸可以提高集成度和工作速度。器件尺寸与工作电压按同样比例缩小较为理想，但难以实现。 在短沟道和窄沟道条件下，阈值电压会随沟道长度和沟道宽度的变化而变化。在实际工艺中常采用离子注入来调整阈值电压。 栅源介质击穿和漏体pn结击穿是MOSFET主要击穿机构。短沟道器件可能会出现沟道雪崩倍增，引发寄生晶体管效应或热电子效应。 离化辐照会引入氧化层电荷和界面态，导致阈值电压漂移和迁移率退化。 12.7 小结 2 * 2.1 非理想效应 MOSFET在饱和区、亚阈区的漏源电流分别与栅源电压之间满足以下哪种关系？ 线性关系、对数关系 线性关系、指数关系 平方关系、对数关系 平方关系、指数关系 沟道长度调制效应与以下哪几种因素相关？如何相关？为什么？（可多选） 沟道长度 沟道宽度 衬底掺杂浓度 栅氧化层厚度 课前提问题（1） * 2.1 非理想效应 如果观察到MOSFET的饱和区漏源电流随漏源电压的增加而增加，其原因可能是（可多选） 沟道长度过短 栅源电压过大 漏源电压过大 衬底掺杂浓度过低 对于短沟道器件，沟道迁移率通常随沟道长度的减少而 增加 减少 不变 课前提问题（2） * 2.1 非理想效应 GaAs、InP场效应器件比Si场效应器件速度快的原因是（可多选） 迁移率大 饱和漂移速度高 峰值漂移速度高 沟道短 2.2 按比例缩小 理想情况下如何按比例缩小？实际情况下如何按比例缩小？ 2.3 阈值电压修正 为什么短沟道条件下，阈值电压与沟道长度有关？ 为什么窄沟道条件下，阈值电压与沟道宽度有关？ 课前提问题（3） * 2.4 击穿特性 为什么MOSFET的漏-源击穿电压与栅-源电压有关？ 在什么条件下容易发生沟道雪崩倍增效应？ 在什么条件下容易发生寄生晶体管效应？ 课前提问题（4） END 第1