半导体物理第六章 PN结.pptxVIP

半导体物理第六章PN结;什么是PN结？;PN结的典型工艺方法（1）：;杂质浓度从p区到n区逐渐变化，称为缓变结。;PN结的形成机理（1）：; 内电场作用促进少子的漂移运动，使N区的少子空穴向P区漂移，P区的少子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。 最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于基本上没有自由载流子，所以也称耗尽层。P、n两侧空间电荷总数相同，对外保持整体的电中性。;两个半导体结合成pn结时，电子从费米能级高的n区流向费米能级低的p区，空穴从p区流到n区。EFn不断下移（事实上，费米能级是随着n区能带下移），EFp不断上移,直到EFn=Efp。这时PN结具有有统一费米能级Ef，PN结处于平衡状态;PN结费米能级处处相等标志PN结达到动态平衡，无扩散、漂移电流流过。;电流密度方程式推导;动态平衡时;本征费米能级Ei的变化与电子的电势能-qV(x)的变化一致， 所以：;PN结接触电势差;nn0、np0分别为平衡时n、