第一章_常用半导体器件.pptVIP

电子系统抽象模型 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 当温度升高或受光照射时 本征半导体会发生什么情况? 1.1 半导体基础知识 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子获得能量，部分电子挣脱原子核的束缚，成为自由电子，与此同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴(hole) 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 思考题： 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构 1.2.2 二极管的伏安特性与参数 1.2.3 二极管的等效电路 1.2.4 其它半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3.1 BJT的结构简介 NPN型三极管的结构 PNP型三极管的结构 管芯结构剖面图 三极管的结构特点: 1.3.1 BJT的结构简介 1、发射区的掺杂浓度集电区掺杂浓度。 2、基区很薄(1μm~几μm)且浓度很低。 3、集电区面积基区面积发射区面积。 NPN管的符号 PNP管的符号 e b c e b c 1.3.2 BJT的电流分配与放大原理 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 1. 各极的作用： 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基 区：传送和控制载流子 发射区：发射结正偏多数载流子参与导电 集电区：集电结反偏少数载流子参与导电 基 区：多数、少数载流子都参与导电 各极的导电载流子 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 电流分配关系 根据载流子的运动过程可知: 其值约为：0.9～0.99。 共基直流电流放大系数 Common-base DC current gain 定义 载流子的运动过程 定义： 共射直流电流放大系数 Common-emitter DC current gain （当 时， ） 穿透电流 C-E cut-off current β由材料、掺杂浓度以及工艺有关,反映三极管电流放大能力 定义： 共射交流电流放大系数 Common-emitter current gain 假设： 变化时， 不随之变化，则： 事实上β是与Ic有关的： 其值约为：几十～数千 常用：几十～几百 1.3.3 BJT的特性曲线 一、共发射极输入特性： 共发射极输入特性曲线 共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 二、共发射极输出特性： 共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即 输出特性三个区域的特点 (1) 放大区： 发射结正偏，集电结反偏。 (2) 截止区： 发射结截止，集电结反偏。 (3) 饱和区： 发射结正偏，集电结正偏。 深度饱和 临界饱和 三极管工作状态总结 bIB 正偏 正偏 饱和 bIB 反