第3章1平面工艺.pptVIP

3.1 硅平面工艺的基本流程 1 半导体器件制备的基本原理 三个阶段，1950年采用合金法工艺，1955年扩散技术得到采用，1960年平面工艺和外延技术的出现是半导体制造技术的重大变革。 3.1.2PN结隔离双极晶体管工艺基本流程 2 硅平面工艺NPN晶体管结构和基本流程 （1）衬底材料（2）初始氧化（3）光刻一 （4）埋层掺杂（5）生长外延层 （6）外延层氧化（7）光刻二 （隔离光刻）（8）隔离区掺杂（9）腐蚀掉隔离掺杂中形成的SiO2,然后重新生成SiO2作为基区掺杂的掩摸 （10）光刻三（基区光刻）（11）基区掺杂（硼）(12)光刻四（发射区光刻）（13）发射区（14）光刻五（引线孔光刻） （15）蒸铝（16）光刻六（刻铝）（17）合金 （18）表面钝化（19）光刻七（刻压焊点） （20）中间测试（21）划片（22）装架 （23）键合（24）封帽（25）工艺筛选 （26）成品测试（27）打印、包装，入库 3 平面工艺中的基本工艺 （1）前工序 指原始晶片加工开始直到中试之前的所有工序。经过前工序，形成管芯。 ①薄膜制备工艺 外延，氧化，化学汽相淀积和蒸发或溅射 ②掺杂工艺 扩散和离子注入 ③图形加工技术 光刻和制版 （2）后工序 指中测开始到器件完成的所有工序 （3）辅助工序 ①超净卫生环境 ②高纯水和气的制备 ③掩模版的制备 初始氧化 光刻1（埋层光刻） 在硅衬