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缺陷对光催化 材料的影响 目录 CONTENTS 光催化材料的背景 TiO2光催化存在的不足 1 2 3 缺陷对光催化性能的影响 纳米TiO2是近年来研究较多的半导体材料之一，由于其具有优良的光电性能、化学稳定性、紫外光屏蔽性和生物无毒性等特性，在废水处理、光分解水制氢、太阳能电池、紫外线屏蔽剂等方面具有广泛应用，是最具有开发前景的氧化物半导体材料。 TiO2的光催化性能是由TiO2能带位置和被吸附物质的还原电势共同决定的，由于被吸附物质的还原电势是固定的，所以通过减小TiO2的带隙宽度来提高光催化性是人们探索的主要方向。 1 光催化材料的背景 半导体光催化剂种类: 一般主要是金属氧化物和金属硫化物，例如：TiO2、WO3、SnO2、ZrO2、ZnO、ZnS、CdS、SrTiO3、ZnGa2O4等等。其中，TiO2其中最具有实用意义且研究最深的只有TiO2，其廉价、易得、无毒无害、化学性质稳定。特别是其光致空穴的氧化性极高，还原电位可达+2.53V。 1 光催化材料的背景 纳米TiO2中存在的晶格缺陷会对其光催化性能产生影响。光激发产生的电子和空穴到达可以发生光催化过程的 TiO2颗粒表面之前，内部的缺陷会捕获光生电子，从而降低 TiO2的光催化效率。 TiO2带隙较宽，只能被紫外光（λ 387 nm）激发。由于紫外光在太阳光中所占的比例小于 5%，不能充分利用太阳光中