大连轻工硅酸盐物理化学2章晶体结构缺陷.pptVIP

第二章 晶体的结构缺陷 总述—— 1、缺陷产生的原因——热震动 杂质 2、 缺陷定义——实际晶体与理想晶体相比有一定程度的偏离或不完美性， 把两种结构发生偏离的区域叫缺陷。 3、研究缺陷的意义——导电、半导体、发色（色心）、发光、扩散、烧结、固相反应………。（材料科学的基础） 4、 缺陷分类——点缺陷、线缺陷、面缺陷 第一节 点缺陷 一、类型 A 根据对理想晶体偏离的几何位置来分，有三类 二、缺陷化学反应表示法 用一个主要符号表明缺陷的种类 用一个下标表示缺陷位置 用一个上标表示缺陷的有效电荷 如“ . ”表示有效正电荷; “ / ”表示有效负电荷; “×”表示有效零电荷。 用MX离子晶体为例（ M2＋ ；X2－ ）： （1）空位： VM 表示M原子占有的位置，在M原子移走后出现的空位； VX 表示X原子占有的位置，在X原子移走后出现的空位。 * 空 位 填 隙 原 子 杂 质 原 子 正常结点位置没有被质点占据，称为空位。 质点进入间隙位置成为填隙原子。 杂质原子进入晶格（结晶过程中混入或加入，一般不大于1％，）。 进入 间隙位置—间隙杂质原子 正常结点—取代（置换）杂质原子。 固溶体 B 根据产生缺陷的原因分 热 缺 陷 杂 质 缺 陷 非化学计量结构缺陷（电荷缺陷） 1、热缺陷：当晶体的温度高于绝对0K时，由于晶格内原子热运动，使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷。 （1） Frankel缺陷 特点 —— 空位和间隙成对产生 ；晶体密度不变。 例 : 纤锌矿结构ZnO晶体，Zn2+ 可以离开原位进入间隙， 此间隙为结构中的另一半“四孔”和“八孔”位置。 从能量角度分析： 下 Frankel缺陷的产生 上 （2） Schttky缺陷 正常袼点的原子由于热运动跃迁到晶体表面，在晶体内正常格点留下空位。 Schttky缺陷形成的能量小Frankel 缺陷形成的能量因此对于大多数晶体来说，Schttky 缺陷是主要的。 特点—— 形成—— 从形成缺陷的能量来分析—— 热缺陷浓度表示 ： 对于离子晶体，为保持电中性，正离子空位和负离子空位成对产生，晶体体积增大 下 Schottky缺陷的产生 上 2 杂质缺陷 概念——杂质原子进入晶体而产生的缺陷。原子进入晶体的数量一般小于0.1%。 种类——间隙杂质 置换杂质 特点——杂质缺陷的浓度与温度无关， 只决定于溶解度。 存在的原因——本身存在 有目的加入(改善晶体的某种性能) 3 非化学计量结构缺陷（电荷缺陷） 存在于非化学计量化合物中的结构缺陷，化合物化学组成与周围环境气氛有关；不同种类的离子或原子数之比不能用简单整数表示。如： ; 非化学计量缺陷 电荷缺陷 价带产生空穴 导带存在电子 附加 电场 周期排列不变 周期势场畸变 产生电荷缺陷 1. 常用缺陷表示方法： 把离子化合物看作完全由离子构成（这里不考虑化学键性质），则在 NaCl晶体中，如果取走一个Na+ 晶格中多了一个e, 因此VNa 必然和这个e/相联系，形成带电的空位—— 写作 同样，如果取出一个Cl－ ,即相当于取走一个Cl原子加一个e，那么氯空位上就留下一个电子空穴(h. )即 （2） 填隙原子：用下标“i”表示 Mi 表示M原子进入间隙位置； Xi 表示X原子进入间隙位置。 （3）错放位置（错位原子）： MX 表示M原子占据了应是X原子正常所处的平衡位置，不表示 占据了负离子位置上的正离子。 XM 类似。 （4）溶质原子（杂质原子）： LM 表示溶质L占据了M的位置。如：CaNa