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- 2019-10-24 发布于湖北
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* gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; 智能剥离技术的原理 如图5所示,主要有三个步骤: 1)离子注入。在特定条件下,以一定能量向硅片A注入一定剂量的氢离子或氦离子,用以在硅表层下产生一个气泡层。 2)键合。将硅片A与另一硅片B严格清洁,于室温下键合。B表面的二氧化硅充当未来SOI结构中的绝缘层,而整个B将成为SOI结构中的支撑片。 3)两步热处理。第一步热处理中,注入后的A将从氢离子气泡层分开,上层硅膜与B键合在一起,形成SOI结构,下层可循环作下一步B使用。再将所得SOI片进行高温处理,以加强键合强度。 * gjhhj jklk; 微纳米技术中离子的神奇作用 孙洁 P于盎宁 P 中科大外语系 合肥 230026 本文介绍了离子束雕刻技术,等离子体
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