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用于光致抗蚀剂的聚对羟基苯乙烯的合成及其进展3孟诗云李光宪杨其 黄 用于光致抗蚀剂的聚对羟基苯乙烯的合成及其进展 3 孟诗云 李光宪 杨 其 黄亚江 (四川大学高分子材料科学与工程学院 成都 610065) 摘 要 随着集成电路芯片的发展 ,生产物理和化学性质均一的高分子光阻剂得到了各信息产业国的 重视 。到目前为止 ,含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂已成为光刻蚀 0111μm 线宽芯片的关键技术 。本文综 述了目前合成窄分布的含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂的各种方法 ,在此基础上比较了各种合成方法的 优缺点 ,为合成窄分布的含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂提供了必要的指导 。 关键词 对羟基苯乙烯 光阻剂 活性聚合 中图分类号 : O63211 ; TP333 文献标识码 : A 文章编号 :(2004) 0220243207 Progress in the Synthesis of Poly( 42 Hydroxystyrene) f or Polymer Photoresists Meng S hiyun Li Guangxian Yang Qi Huang Yajiang ( The School of Polymer Materials Science and Technology , Sichuan University , Chengdu 610065 , China) Abstract With the development of the integrate circuit chip technology , more and more attentions have been paid to the synthesis of polymer photoresists with homogeneous chemical and physical features , for the reason that the fabricat2 ing polymer photoresists based on poly ( 42hydroxystyrene) became one of the key technologies for making the 0111μm chip . In this paper , the methods of synthesizing narrow dispersing polymer photoresists based on poly(42hydroxystyrene) was reviewed and compared with each other , in order to provide a useful guide for the synthesizing polymer photoresists based on poly (42hydroxystyrene) . p2hydroxystyrene ; photoresists ; living polymerization Key words tion photoresist ,CAMP) ,即利用光照产生质子酸来加 速催化的光酸反应1 —3 。随着集成电路制造技术的 不断发展 ,由于 PHSt 基高聚物材料特有的性质4 ,5 , 如何制备性能优良的 PHSt 基的高分子光阻剂引起 各信息产业国广泛的关注 。 国内外对 PHSt 基的高分子聚合物材料的特性 也多有报道 ,但是 ,绝大多数只将这类材料用作增容 芯片的设计与制造是信息产业的关键环节之 一 。现阶段 ,通过光蚀刻技术来进行芯片等集成电 路的设计和加工仍然是行之有效的方法 。同时 ,通 过工艺和技术条件的改进 ,使得不断更新和制造性 能更优越 、运算速度更快的集成电路成为可能 。高 分子光阻剂是处理光蚀刻集成电路的关键技术之 一 。目前 ,光蚀刻技术由生产 013 —0128μm 线宽 ,发 展到改用深紫外光 ( 波长为 248nm) 生产 0118μm 线 宽 ,更可通过超深紫外光 ( 波长为 193nm) 刻画线宽 达 0111μm 的微细回路 。高分子光阻剂则由目前的 光敏剂/ 酚醛树脂系统 ,发展到光酸发生剂/ 聚对羟 基苯 乙 烯 ( PAG/ PHSt ) ( 聚 对 羟 基 苯 乙 烯 简 写 为 PHSt) 系统的化学增幅型光阻剂 ( chemical amplifica2 剂6 —13 。我们也曾利用其氢键特性研究高分子共混 物的相容性14 —16 , 但是作为高分子增 容 剂 的 PHSt 基高分子聚合物一般通过自由基聚合 ,分子量的多 分散性使其性能难以达到用作光刻集成电路的光阻 剂的要求 。