第4章半导体二极管和晶体管2.pptVIP

2009-2-9 电路与模拟电子技术基础 4.3.1 晶体管的结构及其类型 4.3.2 晶体管的电流放大原理 （以NPN管为例） 1、放大状态下晶体管中载流子的运动 外加偏置电压要求 2、电流分配关系 晶体管是流控元件 晶体管的主要功能： 电流控制 （基极电流控制集电极电流） 电流放大 （放大的比例关系一定） 4.3.3 晶体管的特性曲线 下面以共射极电路为测试电路 1 共射极输入特性曲线 共射组态晶体 管的输入特性： 2 共射极输出特性曲线 共射组态晶体管的输出特性： 它是指一定基极电流IB下，三极管的输出回路集电极电流IC与管压降UCE之间的关系曲线。 一、放大区 ★发射结正向偏置， 集电结反向偏置 1、基极电流 iB 对集电极电流 iC 的控制作用很强 放大区 2、uCE 变化时, iC 影响很小（恒流特性） 2、饱和区 ★发射结和集电结均正向偏置 饱和区 饱和压降UCE(sat)： 饱和时，集电极和发射极之间的电压 UCE(sat) = 0.3V （小功率Si管） ； UCE(sat) = 0.1V （小功率Ge管） 。 3、截止区 ★发射结和集电结均反向偏置 4.3.4 晶体管的主要参数 一、电流放大系数 1、共射直流放大系数 2、共射交流放大系数 常认为： * 4.3 晶体管 晶体三极管又称为半导体三极管、双极型晶体管，简称晶体管。是电子电路主要的有源器件，可用来放大、振荡、调制等。 几种常见晶体管的外形 e c b 发射极 基极 集电极 发射结 集电结 基区 发射区 集电区 N P N c b e NPN (a) NPN管的原理结构示意图 (b) 电路符号 （base） （collector ） （emitter） 符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。 晶体三极管的结构示意图如下图所示。 它有两种类型:NPN型和PNP型。 晶体管的结构 PNP c b e (b) 电路符号 (a) PNP型三极管的原理结构 符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。 图：平面管结构剖面图 ＊结构特点 1、三区两结 2、基区很薄 3、e区重掺杂 c区轻掺杂 b区掺杂最轻 4、集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。 BJT 处于放大状态的条件： 内部条件： 发射区重掺杂(故管子e、 c极不能互换) 基区很薄(几个?m) 集电结面积大 外部条件： 发射结正偏 集电结反偏 对晶体管 发射区的作用是：向基区注入载流子； 基区的作用是：传送和控制载流子； 集电区的作用是：收集载流子。 管内载流子的运动情况如下图所示。 2.电子在基区中的扩散与复合 3.集电区收集扩散过来的电子 另外,基区集电区本身存在的少子， 在集电结上存在漂移运动，由此形成电流ICBO 三极管内有两种载流子参与导电，故称此种三极管 为双极型三极管，记为BJT 1.发射区向基区注入电子 对 NPN管 UC ＞ UB＞ UE UC UE UB 对 PNP管 要求 UC ＜ UB ＜ UE UC UE UB IEP :基区向发射区扩散所 形成的空穴电流(很小) :集电区与基区之间的漂移运动 所形成的电流(很小) c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I CBO 15V b I BN I EP I EN I CN 晶体管三个电极上的电流与内部 载流子传输形成的电流之间有如下关系： c e I E N P N I B b I BN I EN I CN I CBO I C 1、直流电流放大系数 共射极直流电流放大系数 反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流IBN之间的比例关系， 一般 含义：基区每复合一个电子，就有 个电子扩散到集电区去。 若忽略 ICBO , 则 2、共射交流放大系数 常认为： 晶体管伏安特性曲线是描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线，它对于了解晶体管的导电特性非常有用。晶体管有三个电极，通常用其中两个分别作输入、输出端，第三个作公共端，这样可以构成输入和输出两个回路。实际中，有下图所示的三种基本接法(组态)，分别称为共发射极、共集电极和共基极接法。其中，共发射极接法更具代表性，所以我们主要讨论共发射极伏安特性曲线。 i c e b i B C 输出 回路 输入 回路 e c b i B i E c e i E i C b (a)共发射极 (b)共集电极 (c)共基极 晶体管的三种基本接法（组态） 晶体管在电