半导体激光器生成双波长超窄脉冲的试验研究.pdf

第31 卷第4 期　　　　　　　　　　　　　　红外与激光工程 　　　　　　　　　　　　　　2002 年8 月 Vol.31No.4 　　　　　　　　　　　　Infrared and Laser Engineering 　　　　　　　　　　　　Aug.2002 张　敏,王东宁,李　宏, 靳　伟,M S Demokan (香港理工大学电机工程系, 中国香港　 龙 红 ) 　　:描述了一种用腔外注入方式调制增益的法布里珀罗半导体激光器产生双波长超窄脉冲 的简单方法。腔外注入功能部分包含一个直流工作的法布里珀罗半导体激光器、一个3dB 光耦合 器和两 个布喇格型光纤光栅。双波长的选择和间距通过调节光栅来实现。文中描述的系统实现了 在 10nm 的调节范围内边模压制率优于17dB 的理想结果。整个系统简单、成本低。 　　:　　超窄脉冲;　腔外注入锁定;　增益调制 :N248.4 　　:A 　　:1007-2276(2002)04-0329-04 Dual-wavelength ultra-short pulse generation by use of semiconductor laser diode ZHANG Min, WANG Dong-ning, LI Hong, JIN Wei, M S Demokan (Department of Electrical Engineering, he Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, China) Abstract:An attractive alternative to generate tunable dual-wavelength pulses by external injec- tion seeding of a gain-switched Fabry-Perot laser diode (FP-LD)is demonstrated.he external injec- tion seeding branch consists of a FP-LD, a 3dB photo-coupler and two fiber Bragg gratings (FBGs). he dual wavelength can be selected and their spacing can be tuned by adjusting two FBGs.he side- mode-suppression-ratio (SMSR)is better than 17dB over a 10nm wavelength tuning range.he whole system is simple and costs lower. Key words:　　Ultra-short pulse;　External injection seeding;　Gain switching (DM )(WDM ) 1　　 。 。J B 1.55μm Schlager 　　:2001-11-02;　:2002-03-28 :(1971-), , , , 。 330 红外与激光工程　　　　　　　　　　　　　　　　　2002 年第31 卷 [1] , , 。 Chi-Luen Wang 、 V , 。0.1nm [2] , M Margalit 。 [3]