第4章场效应管基本放大电路117989174220110916003417.pptVIP

*/54 第4章 场效应管基本放大电路 ? N沟道增强型MOS场效应管结构 漏极D→集电极C 源极S→发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 复习 栅极G→基极B 源极S→发射极E 漏极D→集电极C 各类绝缘栅场效应三极管（即MOS管）的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 复习1 UT 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 复习2 UP 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 复习3 UP 一、MOS场效应管的特点 场效应管与晶体管的相比，具有以下特点： 1. 电压控制元件，电流iD受电压uGS的控制； 2. 是单极型器件，温度特性好，抗辐射能力强； 3. 输入电阻高，可达109~1014?； 4. 面积、功耗小，便于集成。； 5. 不同类型的FET对偏压的要求不同； 6. 跨导gm较低； 7. 存在背栅效应（即衬底调宽效应），衬底与沟道的PN结反偏。 8. 工艺一致性较差，工作频率偏低、低频噪声较大等。 二、场效应管的等效电路 S D Ugs + - + - Uds G 1. MOSFET的直流模型 （耗尽型MOS管，简称D管） ID ID （增强型MOS管，简称E管） 复习：UGS,th开启电压（增强型），UGS,off夹断电压（耗尽型、结型） S D gds ΔUGS + - + - ΔUDS G ID 2. 低频小信号模型 由输出特性： ID=f (UGS,UDS) ΔID gmΔUGS gm：跨导 gds：输出电导gds=1/rds S D gds ugs + - + - uds G ID 低频跨导定义 id gmugs （耗尽型、结型管） （增强型管） 微变等效电路 3. 高频小信号模型电路 Cgd S D gmUgs gds Ugs + - + - Uds G ID Cgs Cds 三、 MOS管三种基本放大电路 场效应管偏置电路的关键是如何提供栅源控制电压UGS。 自给偏置电路： 适合结型场效应管和耗尽型MOS管 外加偏置电路： 适合增强型MOS管 1.场效应管偏置电路 (1) 自给偏置电路 UGS = UG-US = -ISRS ≈ -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) RS的作用： 1. 提供栅源所需的直流偏压。 2. 提供直流负反馈，稳定静 态工作点。RS越大，工作点 越稳定。但会造成工作点偏 低，放大增益减少，非线性 失真增大。 G S D 基本自给偏置电路 +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS 例：已知UDD =20V、RD=3k?、 RS=1k?、 RG=500k?、UGS(off)= –4V、IDSS=8mA， 确定静态工作点。 解：用估算法 UGS = – 1? ID UDS= UDD-ID(RD+RS) 列出关系式 解出 UGS1 = –2V、UGS2 = –8V、ID1=2mA、ID2=8mA 因UGS2 UGS(off) 故舍去 ， 所求静态解为UGS = –2V, ID=2mA、 =20 – 2（ 3 + 1 ）= 12 V 偏置电路 改进型自给偏置电路 R1R2提供一个正偏栅压UG 大电阻（M?)， 减小R1、R2对放大电 路输入电阻的影响。 UGS = UG-US -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) 改进型自给偏置电路 偏置电路 (2) 外加偏置电路 -IDRS R1和R2提供一个固定栅压。 UGS = UG-US 注：要求UGUS，才能提供一个正偏压，增强型管子才能 正常工作。 2.三种基本放大电路 (1) 共源放大电路 直流分析 UGS = UG-US -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) 一般rds较大可忽略 基本放大电路 (1) 共源放大电路(续） Id G RG R1 R2 RD RL D rds RS gmUgs S Ugs Ui Uo 未接Cs时 = - gmUgsRD Ugs + gmUgsRs = - gmRD 1 + gmRs RD=RD//RL 交流分析 Id G RG R1 R2 RD RL D rds RS gmUgs S Ugs Ui Uo 未接Cs时 = - gmRD 1 + gmRs ri ri=RG+(R1//R2) ≈RG ro ro ≈ RD 接入Cs时 AU= -gm(rds//RD//RL) ri=RG+(R1//R2) ≈RG ro =RD//rds≈ RD Rs的作用是提供一个直