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(2) 汽化原了或分子在蒸发源与基片之间的输运，此过程中汽化原子或分子与残余气体分子发生碰撞的次数决定了蒸发原子或分子的平均白由程以及源－基距离。 (3) 蒸发原子或分子在基片表面的沉积过程，即蒸气的凝聚成核，核生长形成连续膜(气相→固相的相变过程)。 上述过程必须在空气稀薄的真空环境中进行，否则蒸发粒子将与空气分子碰撞，使膜污染甚至形成氧化物，或者蒸发源氧化烧毁等。 基本原理：在真空室中加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到固体(称为衬底或基片)表面，凝结形成固态薄膜的方法。 与溅射法相比，蒸发法的显著特点之一是具有较高的背底真空度(一般情况下10-3 Pa)。 电阻式热蒸发装置： 典型的蒸发源形状： 关于蒸发源的形状可根据蒸发材料的性质，结合考虑与蒸发源材料的湿润性，制作成不同的形式和选用不同的蒸发源材料。如图所示: 蒸发源材料需满足如下要求： 熔点要高。 平衡蒸气压低。 化学性能稳定，在高温下不应与蒸发材料发生化学反应。 具有良好的耐热性，热源变化时，功率密度变化较小。 原料丰富，经济耐用。 电阻加热装置的缺点： 坩埚、加热元件以及各种支撑部件造成的污染； 电阻加热法的加热功率或加热温度有一定的限制；因此不适用于高纯或难熔物质的蒸发。 电子束蒸发装置正好克服了电阻加热法的上述两个不足，因而它已经成为蒸发法中高速沉积高纯物质薄膜的一