数字电子技术基础：第七章半导体存储器.ppt

7.2.2 可编程ROM（PROM） 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 一、用紫外线擦除的EPROM（UV-EPROM） 二、电擦除的可编程ROM（E2PROM） 三、快闪存储器（Flash Memory） 7.3 随机存储器RAM 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 * 7.3.2 动态随机存储器（DRAM） 7.4 存储器容量的扩展 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可。 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见：若以地址线为输入变量，则数据线即 为一组关于地址变量的逻辑函数 二、举例 * 第七章 半导体存储器 7.1 概述 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.2 只读存储器(ROM) 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用(只读)存储器实现组合逻辑函数 本 章 内 容 教学基本要求： 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址等 基本概念。 掌握ROM、RAM的工作原理及典型应用。 了解ROM、RAM存储单元的组成及工作原理。 掌握存储器容量的扩展方法。 7.1 概 述 半导体存储器是一种能存放大量二值信息的半导体器件。 按存/取功能分 只读存储器 （ROM） 随机存取存储器（RAM） 按制造工艺分 BJT/双极型 MOS/单极型 存储器的主要性能指标：存储容量和存取速度。 大量二值信息 RAM在运行状态中，可以 随时进行读出或写入操作。 所存储的数据只能在电源 供电条件下保存；一旦掉电, 数据将全部丢失。 ROM在运行中只能读出信息。 断电后信息不丢失，常用于存 放固定信息(如程序、常数等) 非易失性！ 易失性！ 几个基本概念： 存储容量（M)：存储二值信息的总量。 字数：字的总量。 字长（位数）：表示一个信息的多位二进制码称为一个字， 字的位数称为字长k。 M＝字数2n ×位数k 地址：对应于存放一个字的存储空间的编号。 存储器外部地址线的线数为n ，则字数为2n K=4 ROM (Read-Only Memory) 掩模ROM 可编程ROM PROM 一次性编程、不可擦除 UV-EPROM 紫外线擦除可编程 E2PROM 电信号擦除可编程 7.2 只读存储器 用户确定编程内容，向芯片厂商定制 EPROM ROM是否可擦除、可编程写入，取决于存储单元中所用器件。 因此，又有以下划分： BJT管ROM MOS管ROM 二极管ROM SIMOS管 普通MOS管 Flotox-MOS管 UV-EPROM E2PROM Flash Memory 快闪叠栅MOS管 存储矩阵 地址译码器 地址输入 7.2.1 掩模ROM 数据输出 控制信号输入 三态输出电路 ROM的电路结构框图 存储单元：二极管、BJT管、MOS管 n 2n k k 采用二极管的掩模ROM 存储 矩阵 输出控制电路 M=22?4 地址译码器 位线 字线 字线与位线的交点对应一个 存储单元。交点处有二极管 相当于存“1”，无二极管相当于存“0”。 OE=1时，输出为高阻状态 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 当OE=0时 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 d0 d1 d2 d3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W(2n-1) wi=mi 另一种采用二极管的掩模ROM wi=mi 存储单元中,有MOS管相当于存入“1”，无MOS管相当于存入“0”。 采用NMOS管的掩模ROM 字线 存储 矩阵 位线 字线与位线 的交点为一个存储单元。 交点处有MOS管相当于存“0”、无MOS管相当于存“1”。 两维译码的ROM 该存储器的容量? M=16×16×1 bit 20V × “1” “0” 25V 50mS 20~25V 20~25V 0V 25V 工作原理： 采用快闪叠栅 MOS管（类似于SIMOS管）、省去选通管T2，提高了集成度。 12V 0V +6V 12V 0V ROM芯片实例： AT27C010 128K×8位ROM 数据输出 VPP Ai 1 0 0 编程校验 数据输入 VPP Ai 0 1 0 快速编程 高阻 × Ai × × 1 等待 高阻 × × × 1 × 输出无效 数据输出 × Ai × 0 0 读 D7 ~ D0 VPP A16 ~ A0 工作模式 AT27C010 功能表 ROM的读操作与时序图