第4章(72)场效应管放大电路.pptVIP

工作原理 P+区内侧与P+区和N沟道交界侧PN结形成比较： 当N沟道JFET工作时，需： 当N沟道JFET工作时，需： 分析工作原理： 可以归纳，vDS＝0时vGS对导电沟道的控制作用： vDS对iD的影响 总结工作情况 3、N沟道增强型MOSFET特性曲线 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor type Field Effect Transistor) 特点：直流输入电阻很高、最高可达到1015欧姆、表面场效应器件 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 最常用的是IGFET 4.2 金属-氧化物-半导体场效应管 * 1、结构 4.2 绝缘栅 场效应管 Metal-Oxide-Semiconductor D S G 简化符号 * 耗尽型：UGS=0时，漏、源极之间已经存在原始导电沟道。 增强型：UGS=0时，漏、源极之间没有导电沟道。 4.2 绝缘栅 场效应管 D S G 简化符号 * * 4.2 绝缘栅 场效应管 2、NMOS增强型FET的结构、工作原理 MOSFET工作原理 MOSFET结构 无论是N沟道MOS管还是P沟道MOS管，都只有一种载流子导电，均为单极型电压控制器件。 MOS管的栅极电流几乎为零，输入电阻RGS很高（108~ 1015 ） 。 * 关键理解点： 是沟道的形成：靠电场排斥P区靠近G极一侧的空穴（伴随着耗尽层也就形成了），同时该电场又将P区的电子吸引到P区靠近G极的一侧，于是沟道就形成了。 uDS和uGS对iD都有影响，但是对iD的控制作用主要是uGS，uDS对iD只是有影响。类似于双极性管的iB对iC的控制作用。 输出特性 转移特性曲线 U u u u u u u u i u u i 是 GS D P GS D D u I U u I i SS 2 SS ) 1 - ( = = 0时，当VDS 时的iD * 1. N 沟道耗尽型 在SiO2中预埋了正离子，在P型衬底表面形成反型层（N型）。∴在vGS ＝0时，就有感生沟道，当V DS ＞0时，则有iD通过。 *4.2.2 耗尽型MOSFET * g s d 符号 PMOS管是以N型硅作为衬底，而漏极和源极从P区引出，形成的反型层为P型，相应的沟道为P型沟道。对于耗尽型PMOS管，在二氧化硅绝缘层中掺入的是负离子。 使用时，uGS的极性与NMOS管相反。增强型PMOS管的开启电压UGS（th）是负值，而耗尽型的P沟道场效应管的夹断电压UGS(off)是正值。 *2. P 沟道耗尽型 * 3.耗尽型N 沟道MOS 管的特性曲线 耗尽型的N沟道MOS管VGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 iD 0 VGS UP 输出特性曲线 栅源电压可正可负。 * IDSS iD vDS 0 vGS=0 vGS0 vGS0 IDSS * 4.2 绝缘栅 场效应管 常用于数字集成电路 5 .双极型和场效应型三极管的比较 * 4.3.1 直流参数?? 饱和漏极电流IDSS? ?? 夹断电压UP??,它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流（1μA 、50μA） 时所需的UGS ?? 开启电压UT ,它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值（10μA）时所需的UGS 4.3 场效应管 主要参数 4.3 场效应管主要参数 * 跨导gm的单位是mA/V。它的值可由转移特性或输出特性求得。 ?? 低频跨导gm?,它描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 4.3.2 交流参数 * 4-13 根据场效应管的特性曲线求gm * 极间电容?:场效应管三个电极之间的电容：漏源电容CDS约为 0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1～3pF。 （1F=1012pF） 1.漏极最大允许耗散功率PDm PDm与ID、UDS有如下关系: 这部分功率将转化为热能, 使管子的温度升高。PDm决定于场效应管允许的最高温升。  4.3.3极限参数 * 2.漏、源间击穿电压BUDS 在场效应管输出特性曲线上, 当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。工作时外加在漏、源之间的电压不得超过此值。 3. 栅源间击穿电压BUGS 结型场效应管正常工作时, 栅、源之间的PN结处于反向偏置状态, 若UGS过高, PN结将被击穿。  * 4.4 场效应管 特点 4.4 场效应管的特点