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* 第一部分 电子线路 第一章 晶体二极管和二极管整流电路 一、考试要求 二、考点要求 三、课堂探析 第一节 PN结 第二节 二极管 第三节 整流电路 第四节 滤波电路 第五节 稳压电路 一、考试要求 1.二极管的单向半波整流电路、单向全波整流电路的组成、工作原理、简单计算 2.晶体二极管的选择 1.硅、锗二极管的门坎电压、正向导通压降 2.晶体二极管的简单测试方法及电路的简单计算 3.电容滤波电路计算 4.硅稳压二极管的特性、主要参数 5.稳压电路的稳压原理 1.晶体二极管的伏安特性和主要参数 2.滤波器的组成、工作原理 1.PN结的单向导电特性 2.晶体二极管分类、型号 熟练掌握 掌握 理解 了解 1.桥式整流带滤波电路输出电压的计算 2.二极管电路的分析计算 考点 2011年 1．二极管整流稳压电路的分析计算 2．并联型稳压电路的稳压原理 考点 2010年 填空题 题型 2009年 是非题 填空题 填空题 是非题 二极管整流电路输出电压的计算 题型 题型 考点 二、考点分析 第一节 PN结 （一）探析问题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的？为什么杂质半导体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小？ 【思路分析】 本征半导体的多数载流子和少数载流子的数目相等；杂质半导体是在本征半导体的基础上放入微量元素。 【解题过程】 杂质半导体就是在本征半导体中放入微量元素，在外界的能量的激发下，最外层的价电子挣脱原子核的束缚，形成带负电的自由电子和带正电的空穴，由于杂质半导体放入微量元素，导致空穴的数目和自由电子的数目不同，就产生了多数和少数载流子。 本征半导体的多数载流子和少数载流子的数目相等，杂质半导体的多数载流子的数目远大于少数载流子的数目，在外界能量激发下，杂质半导体的多数载流子在运动过程中和少数载流子的复合机会远大于本征半导体，所以杂质半导体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小。 三、课堂探析 （二）巩固练习 N型半导体中自由电子多于空穴，而P型半导体中空穴多于自由电子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？ 【解题过程】 不论是N型半导体还是P型半导体，最外层的价电子都是围绕各自的原子核运动，对外显中性，只有在外界的能量激发下，最外层的价电子才能挣脱原子核的束缚成为载流子，才会带电，所以N型半导体和P型半导体本身是不带电的。 （三）课堂总结 1．半导体材料所具有热敏性、光敏性和掺杂性三个特性。 2．半导体的导电的方式有自由电子导电和空穴导电。 3．半导体材料分为本征半导体、N型半导体和P型半导体。 4．PN结又称为空间电荷区、耗尽层，它具有单向导电性。 第二节 二极管 （一）探析问题 问题一：如图1-4所示，试判断图中二极管是导通还是截止?为什么 ？ 图1-4 【思路分析】 判断二极管的工作状态，必须移走二极管求出A、B两点的电位，若VA﹥VB则二极管导通，若VA﹤VB则二极管截止。 【解题过程】 VA﹤VB则二极管截止。 拓展练习： 如图1-5所示电路，二极管为硅管，求A点电位及流过二极管中的电流的大小。 图1-5 【思路分析】 判断二极管的状态是求解本题的关健，正确的画出等效电路也很重要。 【解题过程】 移走二极管，VB′=0 ， VA′＞VB′二极管V导通，原电路可等效为下图所示，根据复杂的直流电路解得： 方法规律： 解含有二极管的直流电路时，首先要弄清二极管在电路中的状态，再根据二极管的状态将非线性电路转化为线性直流电路，运用复杂的直流电路的求解方法分析求解电路。二极管截止可视为开路 ，二极管导通，可用一个稳压电源来代替。 （二）巩固练习 1.判断题 （1）晶体二极管内部是一个PN结，所以具有双向导电性。（ ） （2）晶体二极管在使用中一旦发生反向击穿，就会烧坏。（ ） 2.填空题 电路如图1－6所示，V1，V2均为理想二极管，当S与A接通后，M点的电位为 V，当S与B接通后，M点的电位为 V。 × × 2 0 图1－6 3.选择题 理想二极管如图1-7所示，当开关S由断开状态变为闭合状态时二极管将（ ） A．保持导通 B．保持截止 C．由导通变为截止