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08级电力电子技术II复习参考 一.电力电子器件 图1.N沟道MOSFET输出特性 图1.N沟道MOSFET输出特性 1.N沟道MOSFET输出特性如图1所示。图中各区域的名称分别是(填空)： A.区域1叫正向电阻区；B.区域2叫反向电阻区；C.区域3叫截止区；D.区域4叫饱和区(有源区)；E.区域5叫雪崩击穿区；F.区域6叫体二极管导通区。 2.MOSFET特点(判断)： A.电压控制，控制极（栅极）静态内阻高； B.驱动功率小，开关速度高； C.无二次击穿，安全工作区宽； D.为多数载流子器件，没有存储效应，开关时间短。 图2.N沟道MOSFET开关等效电路 图2.N沟道MOSFET开关等效电路 3. N沟道MOSFET开关等效电路如图所示(填空)。 功率MOSFET在结构上存在一个反向并联的二极管，因此不能阻挡反向电流的导通。功率MOSFET二次击穿的原因是结构上隐含了NPN晶体管，一旦有雪崩击穿产生的少数载流子进入源极端短路点，并进一步注入到PN时（需要电压在0.5V以上），引发二次击穿。不过由于现代功率MOSFET的设计，使二次击穿不易发生，其耐受力达到以上。在电流耐量方面，由于功率MOSFET导通进是多数载流子导电，电阻呈正温度系数，具有电流均匀分布的稳定机制。因此功率MOSFET对于脉冲工作具有非常可贵的近似矩形的安全工作区。与电力晶体管相比，功率MOSFET中影响开关速度的仅仅是极间电容。主要影响因素是栅-源和栅-漏电容（以后者为主），栅-漏电容不仅影响栅极的电压变化，与漏极电压的升降速率也有关系。极间电容中，栅-源电容主要由二氧化硅层确定，在开关过程中变化较少。漏-源与栅-漏电容在开关过程中，因势垒的伸缩变化较大。尽管栅-漏电容比栅-源电容要小，但由于米勒效应的缘故，对开关过程的影响是主要的。从减小开关损耗的角度来看，必须力争减小开关过程中驱动波形中的平台阶段，即上升与下降中米勒效应出现的一段。为此，驱动电流要有足够陡的上升、下降边沿，以加速开关过程减少开关损耗。 4.N沟道PT型IGBT单胞结构如图3所示(填空)。 A.区域3—栅区；B.区域4—沟道；C. 5—源区；D. 6—沟道体区；E. 7—漏区(漂移区)；F. 8—衬底(注入区)。G. 9—缓冲区；H. C—集电极　G—栅极　E—发射极 图3. 图3.N沟道PT型IGBT单胞结构 静态等效电路 5.当IGBT端压u＜0时，由于J1结处于反偏，因而不管MOSFET的沟道体区中是否形成沟道，电流均不能在集电极至发射极间流过，也即，由于IGBT存在J1结而具有反向阻断能力，这种能力的高低则取决于J1结的雪崩击穿电压。以上叙述是否正确？ 是 。 画出N沟道型的图形符号和P沟道型的图形符号。 二.直流交流变换电路(DC-AC) 1.单相方波逆变电路如图4所示。其基本工作波形如图5.请在图中画出及波形。 图4.单相方波全桥逆变电路 图4.单相方波全桥逆变电路 2.方波逆变电路特点(填空)： (1)电路输出为交变方波，与负载性质无关，在电路参数确定的情况下，输出电压形状和幅值都不可调节。 (2)输出电压谐波含量丰富。方波输出除基波外还包含奇次谐波，第n次谐波的幅值与其频率成反比，相对基波幅值的标幺值为： (3)其总谐波失真度(total harmonic distortion,THD)定义为： (4)直流电压利用率较高。 1 1，3 2，4 1，3 2，4 1，3 2，4 1，3 2，4 图5单相方波逆变电路工作原理与基本波形 2.全桥相移式调压逆变电路 在图6所示的单相全桥方波逆变电路中，如果把负载电感L替换为负载电容C，试分析电路工作过程，并画出及波形。 1，3 1，3 2 2，4 1 4 3 1，3 2 2，4 1 4 3 图6电感性负载的全桥移相方波逆变电路 答：把负载电感L替换为电容C后，电路及其工作波形如图。假定电路已工作在稳态。时段，门极触发脉冲、存在，电容C被正向充电，电容两端电压按指数规律升高，充电电流按指数规律减小。时刻，S3门极触发脉冲消失，S2门极触发脉冲到来，a、b两点处电位相等，电容电压达到最大值，直流母线电流为0。期间，电容经D1、S2反向放电，电容电压降低电流减小。到时刻，下降到零（这是因为电路处于稳态）。时刻，，到来，电路拓扑再次发生变化。期间，电容经S2和S4反向充电，电容电流跃变为负最大值。反向电压按指数规律逐步上升，电流按指数规律下降，直到时刻消失，到来。期间，电容经D4和S3正向放电，直流母线电流为零。从时刻，开始新的一个周期。图中，是与电感电路相同的方波。这是因为负载中电容电压与电阻电压叠加后，依然是方波。 图中电容电流和电容电压波形符合充放电规律，电路的时间常数为RC。当C值增大时，波形中的最大值减小，相应波形的最小