第4章半导体器件.pptVIP

B E C N N P EB RB EC IE ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 集电结反偏，由少子形成的反向电流ICBO ，受温度影响比较大。 从发射区扩散到基区到达集电区边缘的电子被拉入集电区形成 ICE。 IB = IBE - ICBO ? IBE IB 直流电流放大倍数：ICE 与 IBE之比 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 4.3.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 输入回路 输出回路 一、输入特性曲线 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE=0V UCE =0.5V 0 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 特点:非线性 工作压降 硅管UBE?0.6~0.7V锗管UBE?0.2~0.3V 死区电压硅管0.5V锗管0.1V 二、输出特性曲线 IC(mA) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=