第1章半导体器件义乌工商学院.pptVIP

2、载流子：在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 3、自由电子、空穴：在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。 漂移运动：载流子在电场作用下的定向运动。 扩散运动：在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动。 结 论 1、PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； 2、PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 3、PN结具有单向导电性。 点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。 漏极特性曲线的两个区域： 在虚线左边的区域：漏、源电压UDS相对较小，漏极电流ID随UDS的增加而增加，输出电阻ro较小，且可以通过改变栅、源电压UGS的大小来改变输出电阻ro的阻值，这一区域称为可变电阻区。 在虚线右边的区域：当栅、源电压UGS为常数时，漏极电流ID几乎不随漏、源电压UDS的变化而变化，特性曲线趋于与横轴平行，输出电阻ro很大，在栅、源电压UGS增大时，漏极电流ID随UGS线性增大，这一区域称为放大区。 （1）稳定电压UZ：反向击穿后稳定工作的电压。 （2）稳定电流IZ：工作电压等于稳定电压时的电流。 （3）动态电阻rZ：稳定工作范围内，管子两端电压的变化量与相应电流的变化量之比。 即：rZ=ΔUZ/ΔIZ （4）额定功率PZ和最大稳定电流IZM：额定功率PZ是在稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流IZM是指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是： PZ=UZIZM 稳压管的主要参数： uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 解：令输入电压达到上限时，流过稳压 管的电流为Izmax 。 ——方程1 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时，负载电压基本不变。求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 稳压二极管的应用举例 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2，可解得： 1.3.2 发光二极管 当发光二极管的PN结加上正向电压时，电子与空穴复合过程以光的形式放出能量。 不同材料制成的发光二极管会发出不同颜色的光。 发光二极管具有亮度高、清晰度高、电压低（1.5～3V）、反应快、体积小、可靠性高、寿命长等特点，是一种很有用的半导体器件，常用于信号指示、数字和字符显示。 光电二极管的又称为光敏二极管，反向偏置时光照导通。反向电流随光照强度的增加而上升。 1.3.3　光电二极管 I U 照度增加 1.4 双极型三极管 1.4.1 三极管的结构、类型及符号 半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。在工作过程中，两种载流子（电子和空穴）都参与导电，故又称为双极型晶体管，简称晶体管或三极管。 两个PN结，把半导体分成三个区域。这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN型和PNP型。 NPN型 PNP型 箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向 三极管的分类： 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN、 PNP 按使用频率分：低频管、高频管 按功率分：小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W 1.4.2 电流分配和电流放大作用 （1）产生放大作用的条件 内部：a）发射区杂质浓度基区集电区 b）基区很薄 外部：发射结正偏，集电结反偏 （2）三极管内部载流子的传输过程 a）发射区向基区注入电子，形成发射极电流 iE b）电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流 iB c）集电区收集扩散过来的电子，形成集电极电流 iC （3）电流分配关系： iE = iC + iB 实验表明IC比IB大数十至数百倍，因而有IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变