大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极的研制.docVIP

第２４卷第４期２００９年８月 Ｃｈｉｎｅｓｅ 液晶与显示 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｐｌａｙｓ Ｖ０１．２４．ＮＯ．４ Ａｕｇ．，２００９ 文章编号：１００７—２７８０（２００９）０４—０５２８—０５ 大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极的研制 张永爱，许华安，郭太良 （福州大学场致发射显示技术教育部工程研究中心，福建福州 ３５０００２，Ｅ—ｍａｉｌ：ｙｏｎｇａｉｚｈａｎｇ＠ｆｚｕ．ｅｄｕ．ｏｎ） 摘要：在洁净的玻璃基底溅射Ｃｒ－Ｃｕ－Ｃｒ复合薄膜，利用光刻和湿法刻蚀技术制备了大屏 幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极。讨论了不同腐蚀液对金属Ｃｒ刻蚀的影响，借助视 频显微镜和台阶仪测试刻蚀后的电极形貌，结果表明，用质量比为６：３－１００的ＫＭｎＯ。、ＮａＯＨ和Ｈ：０的混合液腐蚀Ｃｒ膜的刻蚀速率平稳，刻蚀后的Ｃｒ电极边缘整齐，内向侵蚀少。此外，分析了ＦｅＣｌａ刻蚀液对Ｃｕ膜的刻蚀机理，讨论了刻蚀液在静置和循环条件下对制备ＦＥＤ薄膜型精细电极的影响，借助视频显微镜测试刻蚀后的电极形貌，结果表明，ＦｅＣｌ。刻 蚀液在循环条件下刻蚀Ｃｕ膜速度均匀，刻蚀后电极边缘整齐。 关键词：ＦＥＤ；大屏幕；精细电极；湿法刻蚀 中图分类号：ＴＮ８７３＋．９５ 文献标识码：Ａ １ 引言 利用光刻和湿法刻蚀技术制作了应用于大屏幕场致发射显示器的Ｃｒ—Ｃｕ—Ｃｒ复合薄膜型精细金属 电极，对不同刻蚀液在不同状态下对金属Ｃｒ膜和 场致发射显示器（ＦＥＤ）是利用阴极发射电子轰击阳极荧光粉而发光的一种新型平板显示器件［１喝］，是显示技术与真空微电子相结合的产物， 是发光原理最接近ＣＲＴ的一种平板显示器，因 Ｃｕ膜的刻蚀机理进行了分析。 ２ 实验 其结合了ＣＲＴ的高画质和ＬＣＤ薄型低功耗的双重优势而成为平板显示领域研究开发的热点。 目前，场致发射显示器的电极有厚膜型和薄膜型两种哺］。厚膜型电极是采用丝网印刷方法将银浆印制在衬底上制备而成的，优点是工艺简单、设备投资少；缺点是电极难以做到精细化、电极表面不平整、材料成本高、对环境有污染等。薄膜型电极是采用热蒸发、溅射等真空技术制备金属薄膜，采用光刻方法形成电极图形制备而成的，其 制造技术成熟，广泛应用于ＬＣＤ、ＯＬＥＤ等平板显示器中。薄膜型电极应用于ＦＥＤ，具有电极表 在洁净的玻璃基底上，采用真空溅射的方法制备Ｃｒ－Ｃｕ—Ｃｒ复合薄膜。因为Ｃｕ在玻璃上的附着性较差，所以为了增加电极与玻璃的附着力，在玻璃表面先溅射一层金属Ｃｒ，膜厚为３０ ｎｍ， 起可靠连接过渡的作用；Ｃｕ膜厚度为５００ｎｍ，它的电导率高，是场致发射显示器Ｃｒ－Ｃｕ—Ｃｒ复合薄膜型电极的主要导电层，在场致发射显示器中起促进电子发射的作用；因为Ｃｕ容易氧化，所以在Ｃｕ表层再溅射一层厚度为３０ｎｍ的Ｃｒ膜，以保护Ｃｕ膜不被氧化和损伤。 在Ｃｒ－Ｃｕ－Ｃｒ复合薄膜上涂敷光刻胶，利用光刻技术形成电极图案，采用湿法刻蚀方法形成金属电极。由于Ｃｒ—Ｃｕ—Ｃｒ电极是由３层薄膜复合 而成，所以刻蚀时需选择２种或３种不同的刻蚀 面平整、有利于提高电子发射均匀性的优点，还可以做到高分辨率。常用的薄膜型金属电极由电导率高的金属如Ａ１、Ｃｕ、Ａｇ等材料组成［７。９］。 高开口率是提高显示器亮度的前提条件。为研制高清晰ＦＥＤ就必须制备高精细电极。本文 液，刻蚀Ｃｒ膜时，其刻蚀液对Ｃｕ膜不能有影响， 反之亦然。 收稿日期：２００９－０１—１９；修订日期：２００９—０２—２６ 基金项目：国家“８６３”计划平板显示重大专项（Ｎｏ．２００８ＡＡ０３Ａ３１３）；福建省科技厅资助省属高校项目（Ｎｏ．２００８Ｆ５００１）｝福州大学 ／ 科技发展基金（Ｎｏ．２００８一ＸＹ一１１） 万方数据 第４期 张永爱，等：大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极的研制 ５２９ ３ 结果与讨论 ３．１ Ｃｒ刻蚀液对金属电极的影响３．１．１ 盐酸刻蚀金属Ｃｒ 金属Ｃｒ是中等活泼的金属，其单质除可以用硫酸高铈和硝酸混合液或硝酸铈铵与冰乙酸混合液刻蚀［１０，１１］，还能与一定浓度的盐酸发生反应，其反应机理如下： Ｃｒ＋２Ｈ＋一Ｃｒ２＋＋Ｈ２千 （１） 不同盐酸浓度与金属Ｃｒ膜反应速率不同，如图１所示，当ＨＣＩ（ＡＲ，３７％）：Ｈ。０（去离子水）＝ ｋ 昌 ５ 、 船 制基 慕 Ｕ ｈ ＨＣＪ的体积分数／％ 图１ 盐酸浓度与Ｃｒ膜刻蚀速率的关系 Ｆｉｇ．１Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ ｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｏｆ ＨＣＩ ｅｔｃｈａｎｔａｎｄｅｔｃｈｉｎｇｒａｔｉｏｏｆＣｒｆｉｌｍ 图２不同盐酸浓度下刻蚀的金属电极的视频形貌．（ａ）ｙ （ＨＣＩ）：ｙ（Ｈ２０）一１：１；（ｂ）Ｖ（ＨＣＩ）：Ｖ（Ｈ２０）一３：７． Ｆｉｇ．２ Ｖｉｄｅｏｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙｉｍａｇｅｓｏｆ