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* * 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 3.2.2 基本BJT反相器的动态特性 3.2.3 TTL反相器的基本电路 3.2.4 TTL逻辑门电路 3.2.5 集电极开路门和三态门 3.2.6 BiMOS门电路 一. 二极管的开关特性 二极管符号： 正极 负极 ＋　uD 　－ 二极管的伏安特性： 二极管的单向导电性（PN结的基本特性），相当于一个受外加电压极性控制的开关。 导通条件及特点 条件：VD0.7V 特点：相当于0.7V电压降的闭合开关 截止条件及特点 条件： VD0.7V 特点：相当于完全断开的开关 二极管的静态开关特性： D RL i o t1 t VF -VR i IF -IR ts t? 0.1IR 二极管从正向导通到截止有 有一个反向恢复过程 二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。 称为反向恢复时间 其中 为存储时间， 为渡越时间 二极管的反向恢复过程是由于电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失的时间。 正向导通时，非平衡少数载流子 积累的现象叫电荷存储效应。 动态特性 3.2.1 BJT的开关特性 iB?0，iC?0，vO＝VCE≈VCC，c、e极之间近似于开路, vI=0V时: iBIBS，iC ? VCC/RC，vO＝VCE≈0.2V，c、e极之间 vI=5V时: 近似于短路. ＋ － R