PN结电容特性课件.ppt

2.2.2 PN结——电容特性 VD I 反向特性 正向特性 击穿特性 PN结 伏安特性：电流随电压变化的非线性电阻特性 伏库特性：电容随电压变化的非线性电容特性 当外加电压发生变化时，空间电荷的宽度要相应地随之改变，即存储的电荷量要随之变化，如同电容充放电。 二极管的两极之间有电容，它由两部分组成： 3 PN结——电容特性 势垒电容CB 扩散电容CD 平行板电容——平行板宽度是一定的 PN结电容——空间电荷的 宽度随外加电压 要相应地随之改变 A 势垒电容CB U P N + + + + + + + + 空间电荷层 a. 当PN结正向偏置电压升高时 PN结变窄 空间电荷层中的电荷量减少 U+?U (?U0) P N + + + + 空间电荷不能移动，空间电荷的减少是由于电子和空穴中和空间电荷层中的带电离子。 正向偏置电压升高——部分电子和空穴“存入”空间电荷区 b. 当PN结正向偏置电压降低时 PN结变宽 空间电荷层中的电荷量增大 U-?U (?U0) P N + + + + + + + + + + + + 反向偏置电压升高——部分电子和空穴从空间电荷区“取出” 势垒电容CB PN结交界处两端电压改变时，会引起积累在PN结的空间电荷浓度发生改变，这类似于电容的充放电现象，从而显示出PN结的电容效应，称为势垒电容。 势垒 电容的充电过程： 结论：正偏V加大→空间电荷区变窄→极板距离减小→ CB ↑ 反偏V加大→空间电荷区变宽→极板距离增大→CB ↓ P N + + + + + + + + + + + + B 扩散电容CD 非平衡少子的积累 P N + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 扩散区的电荷量随外电压的变化而产生的电容效应。 PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子（非平衡少子），堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，到远离交界面处，形成一定的浓度梯度分布曲线。电压增大，正向（扩散）电流增大。 PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子（非平衡少子），堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，到远离交界面处，形成一定的浓度梯度分布曲线。电压增大，正向（扩散）电流增大。 扩散电容示意图 △U变化时，P区积累的非平衡少子浓度分布图 ΔU0 3 ΔU=0 ΔU0 2 1 x 电子浓度 3 2 1 P N + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PN结正向偏置电压越高，积累的非平衡少子越多。 这种电容效应用扩散电容CD表征。 P N + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 小结： Cj = CD + CB PN结的结电容Cj 当PN结正偏时： 当PN结反偏时： 势垒电容和扩散电容均是非线性电容。 变容二极管的符号及C-U特性曲线 符号 20 2 40 60 80 100 0 4 6 8 10 12 uD C C-U特性曲线 变容二极管及其应用示例 谐振频率： 式中 高频放大器 L C1 DC R + – – +V + UD u1 2.2.3 金属与半导体的接触 （1） 金属和半导体的功函数 (EF)m Eo Wm 金属中的电子势井 Eo 表示真空中静止电子能量。 金属功函数定义： Wm = Eo- (EF)m Wm：表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。 其大小表示电子在金属中束缚的强弱，并与表面状态有关。 半导体的功函数：?为电子的亲和能，它表示要使半导体 导带底部的电子逸出体外所需要的最小能量。 半导体的功函数： Ws = Eo- (EF)s (EF)s Ev Ec ?s Ws Eo （2） 整流接触 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?S Wm WS (EF)m (EF)s n m Eo Wm Ws 接触前 (EF)s高于(EF)m， (EF)s- (EF)m= Wm - Ws 半导体的电势高于金属电势→能带靠近金属一侧