第二节半导体二极管.pptVIP

Home Next * 二极管基本电路及模型分析法 1. 二极管的静态工作情况分析 Back ID + VD -- R 10K? + VDD — 20V ID + VD -- R 10K? + VDD — 20V ID + VD -- R 10K? + VDD — 20V + Von — (a) 原电路 (b) 理想模型电路 (c) 恒压降模型电路 图1.2.14 例1.2.1的电路图 解：（1）理想模型，VD=0， 则 （2）恒压降模型VD=0.7V， 则 例1.2.1 求图1.2.14（a）所示电路的硅二极管电流ID和电压VD。 Home Next Back 2. 二极管开关电路 例1.2.2 如图1.2.15所示电路。试求VI1、VI2为0和+5V时V0的值 。 R 10K? V0 Vcc +5V 图1.2.15 例1.2.2 电路图 VI1 VI2 D1 D2 0 0 0 +5V 0 0 0 +5V +5V 0 +5V +5V V0 VI1 VI2 1.2.3　二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2. 最高反向工作电压 UR 　　工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将击穿电压 UBR 的一半定义为 UR 。 3. 反向电流 IR 通常希望 IR 值愈小愈好。 4. 最高工作频率 fM 　　fM 值主要 决定于 PN 结结电容的大小。结电容愈大，二极管允许的最高工作频率愈低。 *1.2.4　二极管的电容效应 　　当二极管上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量将随之发生变化，使二极管具有电容效应。 电容效应包括两部分 势垒电容 扩散电容 1. 势垒电容 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。 (a) PN 结加正向电压 （b) PN 结加反向电压 - N 空间 电荷区 P V R I + U N 空间 电荷区 P R I + - U V 　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 势垒电容的大小可用下式表示： 　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 U 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。 ? ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积； l ：耗尽层宽度。 O U Cb 图 1.2.8 2. 扩散电容 Cd ? Q 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 　　在某个正向电压下，P 区中的电子浓度 np(或 N 区的空穴浓度 pn)分布曲线如图中曲线 1 所示。 x = 0 处为 P 与 N 区的交界处 　　当电压加大，np (或 pn)会升高，如曲线 2 所示(反之浓度会降低)。 O x nP Q 1 2 ? Q 　　当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。 ? Q 　　正向电压时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程 —— 扩散电容效应。 图 1.2.9 综上所述： 　　PN 结总的结电容 Cj 包括势垒电容 Cb 和扩散电容 Cd 两部分。一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为 Cj ? Cd；当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为 Cj ? Cb。 　　Cb 和 Cd 值都很小，通常为几个皮法 ~ 几十皮法，有些结面积大的二极管可达几百皮法。 (1-*) 齐纳击穿： 高掺杂→PN结窄→不大的电压→很强的电场→破坏共价键→电流↑↑ 雪崩击穿： 低掺杂→PN结宽→较大的电压→价电子加速→把价电子撞击出共价键→倍增效应→电流↑↑ 通常，U(BR) 7V 为雪崩击穿； U(BR) 4V 为齐纳击穿；4V ~ 7V 两者均有。 (1-*) 已知：Ui = 10 sinwt V，二极管为理想元件。 试求：输出Uo的波形。 Ui 5V ：Uo = 5V Ui 5V：Uo = Ui 解： 方法：判断二极管何时 导通、截止。 (1-*) 已知：Va = 3V，Vb = 0V。求：Vy = ? 方法：先判二极管谁优先导通， 导通后二极管起嵌位作用 两端压降为定值。 因：Va Vb 故：Da优先导通 Db截止 若：Da导通压降为0.3V 则：Vy = 2.7V 解： (1-*) t t t ui uR uo R RL ui uR uo 已知：Ui波形 ，二极管为理想元件。 试求：输出Uo的