第8章MOS场效应器件性能与设计(3).pptVIP

半导体器件原理 南京大学 反相器的延迟随沟道长度线性地改善（在设计范围内） 半导体器件原理 南京大学 （4）延迟对栅氧化层厚度的依赖 薄氧化层对延迟影响较小，但可减小沟道长度，提高器件性能。 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 3. 延迟对电源电压和阈值电压的影响 半导体器件原理 南京大学 电源电压与阈值电压设计平面中的功率与延迟的折衷 半导体器件原理 南京大学 4. 延迟对寄生电阻和电容的依赖 （1）延迟对寄生电阻的依赖 半导体器件原理 南京大学 2）延迟对交迭电容的依赖 * * 半导体器件原理 南京大学 二、CMOS 性能参数 集成度、开关速度和功率消耗是VLSI的主要参数，该章内容关注影响开关速度的若干因数。 2.1 基本CMOS电路元件 半导体器件原理 南京大学 1。CMOS 反相器 在任何一个状态, 仅有一个晶体管导通, 没有静态电流与功率消耗. 半导体器件原理 南京大学 （1）CMOS反相器的传输特性 半导体器件原理 南京大学 Vout-Vin 曲线的高到低转变区的陡峭度反映了数字电路 的性能. 高低转变点发生在中点: Vin=Vdd/2?IP=IN ?Wp/Wn=In/Ip 对短沟道器件, In/Ip要小一些(速度饱和效应) A-C, nMOSFET工作在饱和区, pMOSFET工作在线性区 B-D, pMOSFET工作在饱和区, nMOSFET工作在线性区 半导体器件原理 南京大学 （2） CMOS反相器的开关特性 开及关的延迟相等 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 （3）开关能量与功率消耗(每一循环消耗CV2dd的能量)? P=CV2ddf nMOSFET: pMOSFET: （4）准静态的假设: 器件的响应时间,或电荷重新分布的时间小于电压变化时间(寄生电容决定)---电流随电压瞬速变化, 开关时间仅由寄生电容决定。 由载流子沟道穿越时间:L2/?effVdd或 L/vsat决定 半导体器件原理 南京大学 2。CMOS 与门和或门电路(逻辑计算) 在与电路中,nMOSFET串联在输出端与地之间, pMOSFET并联在电源与输出端之间.(所有输入端处于高电平时,输出为低.) 更多地采用于CMOS技术中. 半导体器件原理 南京大学 在或电路中,nMOSFET并联在输出端与地之间, pMOSFET串联在电源与输出端之间.(所有输入端处于低电平时,输出为高.) 半导体器件原理 南京大学 双输入CMOS与门电路 晶体管N1的工作由Vx决定, 开启状态:Vin1-Vx 和反向衬底偏压引起的阈值电压的增加. 半导体器件原理 南京大学 2.2 寄生单元(电阻与电容) 1。源漏电阻: 半导体器件原理 南京大学 ?积累层电阻与扩展电阻 积累层电阻依赖于栅压,被认为是Leff的一部分. 扩展电阻: 陡峭的源漏结, 注入点接近于沟道的金属结端点, 以上二电阻均很小. 渐变的源漏结, 注入点离开金属结, 二电阻较大. 半导体器件原理 南京大学 ?薄层电阻: ?接触电阻: 短接触 长接触 自对准硅化物工艺中的电阻(薄层电阻和接触电阻均大大减小) 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 2。寄生电容(结电容与交迭电容) ?结电容 半导体器件原理 南京大学 ?交迭电容 半导体器件原理 南京大学 3。栅电阻: 0.25um以下器件中栅RC延迟不能忽略 对大电流器件, 多指形的栅版图设计与源漏区的交叉分布. 半导体器件原理 南京大学 4。互连电阻与电容 （1）互连电容 在CMOS反相器或与门中可忽略, 但在VLSI芯片或系统中, 互连电阻与电容将对性能起重要的作用. 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 当金属线或间距尺寸与绝缘或线厚度大致相等时,总电容显示一较宽的最低值. 半导体器件原理 南京大学 （2）互连的等比例缩小 所有线性尺寸, 金属线长度、宽度、厚度、间距和绝缘层厚度均等比例缩小. 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 （3）互连电阻 局域的互连：尺度的缩小不导致RC的问题 （4）大尺度互连的RC延迟（不同的等比例缩小规则） 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 2.3 CMOS 延迟对器件参数的依赖 开关电阻、输入电容和输出电容 延迟传递和延迟方程 (1) CMOS反相器链的延迟传递 半导体器件原理 南京大学 (2) 延迟方程：开关电阻、输入与输出电容（有负载） 三级输出： 半导体器件原理 南京大学 (3) CMOS延迟等比例