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当EVA抗PID遇上紫外光 链接：/tech/67710.html 来源：友科太阳能 当EVA抗PID遇上紫外光 PID试验的测试标准主要是温度和湿度方面。通过实验室模拟实际运行环境，并将环境条件的恶劣程度放大，计算 对应于相应的运行时间，达到时间和环境等效的结果，这是各种实验室测试PID的最终目的。 业内不知道25C常温和60C及85C下做PID测试到底有什么区别，也没有实际的研究去证明时温等效在PID上的计算 公式。这方面笔者只能提出疑问，说不出个所以然。尤其是温度上，总觉得夏天的阳光下，不发电都会有五、六十度 的高温，用85C来模拟，根本不能算是加速试验，更不要说常温或60C了。就湿度上来说，沿海地区或内陆地区下完 雷阵雨后85%的湿度也就是环境湿度，甚至还不到环境湿度。真的无法评说。 那么，难道要放在釜里去煮啊？笔者没有这样的研究，或许将来真有这种需要，用HAST的方法做PID。 除了温湿度，再谈谈其它的可能环境因素。 首当其冲的，笔者得讲讲光照的影响。 PID在什么时候会发生？答曰：需要有系统电压加在组件上，并且因边框接地而对地形成电势差。所以，形成PID 必须是在系统发电的时候，不会在晚上。这就带来一个问题，即光照条件对组件带来什么影响。 光照可能从两方面对组件的PID产生作用。 一是当光照时组件本身的发电情景，此时组件内部是有电流通过的，而现有PID试验是将组件的正负极短接后进行 实验的，这到底有什么区别？有说法是产生PID效应时，阵列中的某块组件正好处于不发电或低于正常发电量的状态 ，如组件被局部遮挡时。 此时被遮挡单元的电流不是或不完全是通过光生伏打效应进行的，而是系统的电流强行流过，甚至是没有电流通过 ，而串联阵列中的下游组件继续在发电，被遮挡处就成了电流的瓶颈，导致接地的边框产生从地到玻璃到电池片的“ 倒灌漏电流”，玻璃中的金属离子迁移到电池片表面上，破坏了电池的N型电场结构。在这种情况下，光照对PID的 影响到底是什么。 第二种情况是经过长期光照的组件对PID的抵抗能力。一般客户在自测或给认证机构送样时都是新组件。这时候组 件各部分材料的性能都保持得比较完整的。如EVA，是没有经过任何光照、紫外降解的新鲜EVA。 此时EVA材料内游离的醋酸成分（或者说VA中的V成分）是很少的，做PID试验时只有靠这一点醋酸成分以及试验 过程中可能产生的游离醋酸成分带动玻璃中金属离子的迁移（当然EVA分子结构因为醋酸的存在相对于聚烯烃来说极 性更强一点，分子极化可能也会有助于漏电流的形成，所以EVA的体积电阻（10的14次方数量级）一般要比聚烯烃（ 10的18次方数量级）低）。尤其是抗材料厂推出的抗PID的EVA，VA含量尤其低，这样的组件做当前试验方法下的抗 PID试验，漏电流就会比较低，给大家的结果自然是96小时内没有发现PID效应。 顺便提一下，一般做PID试验的时候，漏电流如果有几十微安以上，基本上就可能发生PID效应了。 那么经过长期光照的组件，又可能发生什么变化呢？ 做材料的朋友都知道，组件户外最怕的是紫外对有机材料造成的影响。EVA材料本身的C-C键结构就注定要被紫外 所困扰。即便材料中加了紫外稳定剂、紫外吸收剂，或者想办法降低双键含量，其长期耐紫外性能也是倍受争议的。 笔者们不需要谈EVA经过紫外老化后降解了多少，是否发黄、变脆，笔者们只要了解经过紫外照射后的EVA产生了 多少游离的VA成分，产生的游离VA成分会不会比以前那些不具有抗PID效应的EVA的起始游离VA含量要高。如果答 案是YES的话，那么经过一段时间运行的组件其产生PID的可能和过去刚出厂的组件相比，也就是五十步笑一百步了 。何况组件要用25年呢，五十步、一百步或许对于万里长征来讲只是走了第一步而已。 所以，PID试验方法是不是有必要做深入的研究：在PID试验之前，先经过紫外辐照试验，而且辐照量要予以适当 是否要在紫外老化时同时施加一定的温湿度，以检验EVA材料的抗降解能力。 当EVA抗PID遇上紫外光 链接：/tech/67710.html