高频h型放电离子源的场特性.docVIP

　第15卷　第9期 　2003年9月强激光与粒子束HIGH POWER LASER AND PAR TICL E B EAMS Vol. 15,No. 9　Sep. ,2003　文章编号:　100124322(2003 0920932205 高频H 型放电离子源的场特性 唐平瀛1, 　丁伯南2, 　戴晶怡1Ξ (1. 中国工程物理研究院电子工程研究所, 四川绵阳621900; 　2. 中国工程物理研究院, 四川绵阳621900 　　摘　要:　从Maxwell 方程组出发, 推导了高频H 型放电离子源放电空间的场分布, 并采用Mafia 软件进 行了三维实体建模, 计算了高频离子源放电击穿前和稳定工作后的电磁场分布, 得到了高频离子源放电空间电 磁场分布的直观图像。通过比较击穿前高频电场的轴向和环向分量, 得出了轴向电场在高频离子源击穿中起 主要作用的结论, 并进而推导出了高频离子源的击穿判据, 得出了气体击穿时离子源击穿电压和放电管内气压 的关系, 与实验结果符合较好。 　　关键词:　高频离子源; 　击穿判据; 　场分布 　　中图分类号:　O536　　　　文献标识码:　A 　　在高频无极环形放电离子源(以下简称高频H 型放电离子源或高频离子源 放电空间, 一方面, 耦合线圈中的高频电流感生出穿过线圈轴心的高频磁通, 从而在放电管内产生与线圈同轴的高频涡旋电场, 放电空间的电磁场表现为交变的轴向高频磁场和涡旋电场; 另一方面, 通有高频电流的耦合线圈两端存在着电压降, 即存在交变的轴向高频电场, 此电场将感生出与线圈同轴的高频涡旋磁场。放电空间的电磁场表现为交变的轴向高频电场和涡旋磁场。研究高频离子源放电空间的场特性是高频离子源研究的前提和基础。在高频离子源的研究中, 有关E 型放电的研究报道比较多, 但是关于H 型放电高频离子源的理论和实验研究非常少。比较典型的是Thomson 的H 型放电理论[1], 该理论把H 型放电时的等离子体看成是导电体, 并且服从欧姆定律, 在只考察轴向高频磁场和涡旋电场的情况下, 通过求解Maxwell 方程组得到了放电空间的轴向高频磁场和涡旋电场的场分布, 并进而得出了H 型放电的击穿判据和场特性。但实际上, 对于高频H 型放电离子源而言, 不同分量的电磁场在放电的不同阶段所起的作用各不相同, 在通常的情况下, 在高频离子源放电击穿之前, 轴向高频电场比环形的高频涡旋电场大得多, 对高频离子源气体的击穿起着更重要的作用。 1　高频H 型放电离子源放电空间的场分布 　　高频离子源的结构[2]如图1所示。 　　假定线圈平面垂直于放电管轴向, 不考虑边缘场 效应, 即认为线圈为圆柱对称, 忽略放电空间电磁场的 径向分量, H =H z e z +H e θθ, 　　H r =0(1 E =E z e z +E e θθ, 　　E r =0 　　设线圈通过的高频电流为 ω(2 I =I 0e i t 式中:I 0为电流的幅值; ω为角频率; t 为时间。则相Fig. 1　Configuration of RF ion source 图1　高频离子源结构示意图应的电磁场的表达式为 i ωt i ωt H =H z (r e e z +H e θ(r e θ=H z (t , r e z +H θ(t , r e θ E =E z (r e i ωt i e z +E θ(r e ωt e θ=E z (t , r e z +E θ(t , r e θ(3 由Maxwell 方程[3] ×H =σE +ε5E /5t ×E =-μ5H /5t (4 Ξ收稿日期:2003201206; 　　修订日期:2003205208基金项目:国防科技基础研究基金资助课题 作者简介:唐平瀛(19722 , 男, 博士, 助理研究员, 主要从事特种电真空器件的研制等方面工作; 绵阳市9192523信箱。 第9期　　　　　　　　　　　　　　　唐平瀛等:高频H 型放电离子源的场特性933可以得到( θ( =σE θ(r , t +εr r ( ( ( +=-μr r t ( ( ( +=σE z (r , t +εr r t (r , t θ(r , t =μr t 　　将(5 式变换为电磁场的复数形式, 并作适当变换, 有 2( ( 2++K H z (r =02r r 5r -(5 2θ( θ( 2++(K -2 E θ(r =02r r 5r r ( 2 5r 2( 2++K E z (r =0r r (6 2( ( 2++(K -2 H θ(r =02r r 5r r 式中 22μ-i σμωK =ωε( 7 上述式子分别为零阶和一阶Bessel 方程, 其解为 H z R =H z 0J 0(KR E θR