半导体隧穿钝化技术中的工艺气体.pdfVIP

半导体隧穿钝化技术中的工艺气体 1 TOPCon/隧道氧化层钝化接触 • TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂 的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。 2 我们的关注 1. 硼扩散 2. 扩散清洗 3. ALD沉积Al2O3 4. SiNx层 5. 多晶硅膜 6. 原位掺杂源 3 1.1 硼扩散的关键工艺气体三溴化硼/BBr3 • 三溴化硼为无色或稍带黄色的具有强烈刺激臭味的发烟液体。 • 电子级三溴化硼用于半导体集成电路、太阳能电池、半导体分离器件 等行业中作为P型掺杂源，通过热扩散对晶体硅进行P型掺杂。是制 造N型电池的主要原料。 • 在恒温器中，通过鼓泡形式，掺杂硼源。 • 三溴化硼还是制造高纯硼及其他有机硼 化物的原料。