半导体隧穿钝化技术及其工艺装备 LPCVD在半导体和光伏领域的应用.pdfVIP

Applications of Tunnel Oxide Passivation and LPCVD technologies in semiconductor devices and TOPCon solar cells fabrication processes 半导体隧穿钝化技术及其工艺装备LPCVD 在半导体和光伏领域的应用 普乐新能 （蚌埠）有限公司 2019年6月5日 量子隧穿效应及其应用  在半导体芯片工艺中有一层1~2nm的隧道层(SiO2) ，此膜层的存在可以 实现量子隧穿效应，而此膜层的均匀性及结构可以直接影器件的量子隧 穿效应，  根据量子隧穿效应制造的场效应晶体管称为隧穿场效应晶体管 Tunneling Field-Effect Transistor 简称 TFET  根据量子隧穿效应制造的太阳能电池称为隧穿氧化钝化接触太阳能电池 Tunnel Oxide Passivated Contact,简称 TOPCon 隧穿场效应晶体管 TFET